Câu hỏi: Để CPU có thể thực hiện trao đổi thông tin với các thiết bị vào\ra với độ tin cậy cao thì

A. Chỉ cần kết nối tốt về mặt vật lý giữa thiết bị vào/ra và CPU

B. Kết nối về mặt vật lý không quan trọng mà quan trọng ở phương pháp vào/ra dữ liệu

C. Cần kết nối vật lý một cách thích hợp giữa CPU và thiết bị vào/ra

D. Ngoài kết nối vật lý thích hợp cần pahỉ áp dụng các phương pháp vào/ra dữ liệu thích hợp

Câu 1: Khi thực hiện vào/ra dữ liệu theo phương pháp có thăm dò với nhiều thiết bị thì có nhược điểm là:

A. Tốc độ vào/ra dữ liệu chậm(1)

B. Độ tin cậy của phương pháp giảm đi rất nhiều(2)

C. Độ tin cậy cao nhưng tốc độ vào/ra dữ liệu chậm

D. Kết hợp (1) và (2)

Câu 2: Phương pháp vào ra dữ liệu kiểu truy nhập trực tiếp bộ nhớ

A. Là phương pháp thường được áp dụng khi vào ra dữ liệu với đĩa từ

B. Do thiết bị ngoại vi chủ động khởi động quá trình vào ra và CPU điều khiển quá trình vào ra

C. Là phương pháp vào ra dữ liệu bằng chương trình và do thiết bị DMAC điều khiển

D. Có tốc độ truy xuất dữ liệu cao hơn và độ tin cậy thấp hơn phương pháp vào ra có thăm dò và theo ngắt cứng

Câu 3: Về mặt logic một khối trong bộ nhớ cache

A. Chỉ chứa dữ liệu

B. Chứa số hiệu thẻ, bit cờ và khối dữ liệu

C. Chứa khối dữ liệu và bit cờ

D. Chứa địa chỉ của các ô nhớ có dữ liệu hay được sử dụng

Câu 4: Tỷ lệ quy chiếu “trúng” cache là cao hay thấp tuỳ thuộc vào

A. Dung lượng của cache

B. Tỷ lệ dung lượng của cache so với dung lượng của DRAM

C. Thuật toán nạp dữ liệu vào cache của hệ điều hành

D. Tỷ lệ giữa dung lượng của cache và tổng dung lượng các thanh ghi

Câu 5: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp thì

A. DRAM chiếm phần dung lượng lớn nhất

B. Cache chiếm dung lượng lớn hơn DRAM

C. Bộ nhớ thứ cấp chiếm dung lượng lớn nhất

D. DRAM và bộ nhớ thứ cấp chiếm dung lượng bằng nhau

Câu 6: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp sự xuất hiện của bộ nhớ cache với mục đích chính là:

A. Giảm thời gian trung bình truy nhập bộ nhớ

B. Tăng khả năng lưu trữ của hệ thống nhớ

C. Giảm thời gian trung bình truy nhập bộ nhớ và tăng khả năng lưu trữ của hệ thống nhớ

D. Giảm tải cho bộ nhớ DRAM