Câu hỏi: Cho lệnh assembly: MOV BX, [80]. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ thanh ghi

B. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ dịch chuyển

D. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ trực tiếp

Câu 1: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. DRAM được chế tạo từ mạch lật

B. DRAM được chế tạo từ tụ điện

C. SRAM được chế tạo từ mạch lật

D. SRAM không cần phải làm tươi

Câu 2: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 3: Đối với hệ thống nhớ, có các kiểu vật lý như sau:

A. Bộ nhớ từ, RAM, bộ nhớ cache

B. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ cache 

C. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang

D. Bộ nhớ quang, bộ nhớ cache, bộ nhớ từ

Câu 4: Đối với mode địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng là một thanh ghi có địa chỉ nằm trong một ngăn nhớ

B. Toán hạng là một ngăn nhớ có địa chỉ nằm trong một thanh ghi

C. Toán hạng không phải là nội dung một ngăn nhớ

D. Thanh ghi tham gia gọi là bộ đếm chương trình

Câu 5: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Được chế tạo từ mạch lật

B. Được chế tạo từ transistor

C. Được chế tạo từ diode

D. Cả b và c

Câu 6: Đối với mode địa chỉ dịch chuyển, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Là sự kết hợp: mode gián tiếp qua thanh ghi và mode trực tiếp

B. Có sự tham gia của mode địa chỉ tức thì

C. Địa chỉ toán hạng không phải là: nội dung thanh ghi + hằng số

D. Có sự tham gia của mode địa chỉ thanh ghi