Câu hỏi: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 1: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 2: Cho lệnh assembly: ADD CX, 20. Phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

B. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi

D. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ thanh ghi

Câu 3: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu: A0 -> A13, D0 -> D15 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Dung lượng của chip là: 16K x 16 bit

B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 4: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng 16K x 8 bit, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Có 14 đường địa chỉ

B. Có 8 đường dữ liệu

C. Các đường địa chỉ là: A0 -> A13

D. Các đường địa chỉ là: A0  -> A14

Câu 5: Tất cả có các mode địa chỉ sau đây:

A. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, ngăn xếp, gián tiếp qua ngăn xếp, ngăn nhớ, con trỏ

B. Gián tiếp, gián tiếp qua thanh ghi, trực tiếp, dịch chuyển, ngăn xếp, con trỏ, thanh ghi

C. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, dịch chuyển, ngăn xếp, trực tiếp, gián tiếp qua thanh ghi

D. Tức thì, gián tiếp qua con trỏ, thanh ghi, ngăn xếp, dịch chuyển, con trỏ, ngăn nhớ

Câu 6: Đối với lệnh mã máy, toán hạng không thể là:

A. Một hằng số

B. Nội dung của thanh ghi

C. Nội dung của ngăn nhớ

D. Nội dung của thanh ghi có địa chỉ nằm trong một ngăn nhớ