Câu hỏi: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 1: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. DRAM được chế tạo từ mạch lật

B. DRAM được chế tạo từ tụ điện

C. SRAM được chế tạo từ mạch lật

D. SRAM không cần phải làm tươi

Câu 2: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng 64K x 4 bit, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Các đường địa chỉ là: A0  -> A15

B. Các đường địa chỉ là: D0 -> D15

C. Các đường dữ liệu là: A0 -> A3

D. Các đường dữ liệu là: D1 -> D8

Câu 3: Đối với mode địa chỉ gián tiếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ

B. Toán hạng là nội dung của thanh ghi

C. Có thể gián tiếp nhiều lần

D. Tốc độ xử lý chậm

Câu 4: Tất cả có các mode địa chỉ sau đây:

A. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, ngăn xếp, gián tiếp qua ngăn xếp, ngăn nhớ, con trỏ

B. Gián tiếp, gián tiếp qua thanh ghi, trực tiếp, dịch chuyển, ngăn xếp, con trỏ, thanh ghi

C. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, dịch chuyển, ngăn xếp, trực tiếp, gián tiếp qua thanh ghi

D. Tức thì, gián tiếp qua con trỏ, thanh ghi, ngăn xếp, dịch chuyển, con trỏ, ngăn nhớ

Câu 5: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 6: Đối với lệnh mã máy, số lượng toán hạng có thể là:

A. 1, 2, 3 toán hạng

B. 0, 1, 2, toán hạng

C. 2, 3, 4 toán hạng

D. Cả a và b đều đúng