Câu hỏi: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 1: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 2: Cho lệnh assembly: ADD DX, [SI]+30. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ dịch chuyển

B. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

D. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ gián tiếp

Câu 3: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. RAM là viết tắt của: Read Access Memory

C. SRAM được chế tạo từ các tụ điện

D. Là nơi lưu giữ thông tin mà máy tính đang xử lý

Câu 4: Trong một lệnh mã máy, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể có nhiều mã lệnh

B. Không tồn tại lệnh không có toán hạng

C. Toán hạng là duy nhất

D. Có thể có nhiều toán hạng

Câu 5: Cho chip nhớ DRAM có các tín hiệu: A0 -> A7, D0 -> D7 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây đúng

A. Dung lượng của chip là: 64K x 8 bit

B. Dung lượng của chip là: 8K x 8 bit

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  WE là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 6: Đối với hệ thống nhớ, có các kiểu vật lý như sau:

A. Bộ nhớ từ, RAM, bộ nhớ cache

B. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ cache 

C. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang

D. Bộ nhớ quang, bộ nhớ cache, bộ nhớ từ