Câu hỏi: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 1: Cho chip nhớ DRAM có các tín hiệu: A0 -> A7, D0 -> D7 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây đúng

A. Dung lượng của chip là: 64K x 8 bit

B. Dung lượng của chip là: 8K x 8 bit

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  WE là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 2: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Được chế tạo từ mạch lật

B. Được chế tạo từ transistor

C. Được chế tạo từ diode

D. Cả b và c

Câu 3: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu: A0 -> A13, D0 -> D15 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Dung lượng của chip là: 16K x 16 bit

B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 4: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. DRAM được chế tạo từ mạch lật

B. DRAM được chế tạo từ tụ điện

C. SRAM được chế tạo từ mạch lật

D. SRAM không cần phải làm tươi

Câu 5: Cho lệnh assembly: MOV BX, [80]. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ thanh ghi

B. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ dịch chuyển

D. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ trực tiếp

Câu 6: Đối với mode địa chỉ ngăn xếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng được ngầm hiểu

B. Toán hạng là ngăn nhớ đỉnh ngăn xếp

C. Cả và b đều sai

D. Cả a và b đều đúng