Câu hỏi: Cấu hình BJT nào cho sự khuyếch đại công suất ?

A. Emitter chung

B. Base chung

C. Collector chung

D. Tất cả các ý trên

Câu 1: Nếu tụ đầu ra (C2) ở hình 3.41, hở mạch, thì mức điện áp tín hiệu trên collector của transistor là bao nhiêu ?

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C.  7,5Vpp

D. 15Vpp

Câu 2: Một trong những ưu điểm chính của việc sử dụng các tụ ghép giữa các tầng là gì?

A. Các tụ ghép cho phép mạch khuyếch đại nhiều tầng truyền các tín hiệu DC

B. Các tụ ghép tầng cho phép các mạch phân cực trong mổi tầng độc lập nhau

C. Các tụ ghép tầng rẽ mạch điện trở emitter nên làm tăng hệ số khuyếch đại

D. Cả b và c.

Câu 3: Kiểu mạch khuyếch đại phân cực phân áp nào có trở kháng ra cao nhất ?

A. Được rẽ mạch tụ toàn bộ

B. Phân tách điện trở emitter

C. Không được rẽ mạch tụ

D. Tất cả các ý trên

Câu 4: Điện áp tín hiệu trên collector của transistor ở mạch hình 3.41, là bao nhiêu ?

A. 50mVpp

B. 0,2Vpp

C. 7,5Vpp

D. 15Vpp

Câu 5: Trở kháng ra của mạch khuyếch đại emitter chung sẽ bằng . . . . . . 

A. Điện trở collector

B. Điện trở tải

C. Điện trở collector mắc song song với điện trở tải

D. Beta lần điện trở collector

Câu 6: Nếu beta thay đổi, thì sự thiếu ổn định điểm phân cực trong mạch khuyếch đại như thế nào ?

A. Điện áp collector sẽ thay đổi

B. Dòng collector sẽ thay đổi

C. Dòng emitter sẽ thay đổi

D. Tất cả các ý trên