Câu hỏi: Các thấu kính trong cảm biến quang dùng để:

A. Làm rộng vùng phát xạ

B. Tăng diện tích vùng hoạt động

C. Làm rộng vùng phát xạ và tăng diện tích vùng hoạt động

D. Làm hẹp vùng phát xạ và làm hẹp diện tích vùng hoạt động

Câu 1: Phương trình Callendar – Van Dusen cho nhiệt điện trở Silic là:

A. R(t) = R0.(1 + A.t + B.t2 + C[t – 1000C].t3 ) 

B. R(t) = R0.(1 + A.t + B.t+ + C.t2 )

C. R(t) = R0.(1 + A.t + B.t2 + D.t4 + F.t6 )

D. R(t) = R0.[1 + A.(t-t0)+ B.(t-t0) 2 ]

Câu 2: Thông số Ni -200 có ý nghĩa như thế nào?

A. Điện trở tại nhiệt độ 00K là 200 ôm

B. Điện trở tại nhiệt độ 1000C là 200 ôm

C. Điện trở tại nhiệt độ 00C là 200 ôm

D. Điện trở tại nhiệt độ 00F là 200 ôm

Câu 3: Cảm biến đo dịch chuyển dùng điện dung theo nguyên lý khoảng cách hai bản cực thay đổi có phương trình chuyển đổi là hàm số có dạng:

A. Tuyến tính 

B. Hàm mũ 

C. Phân số 

D. Bậc hai

Câu 4: Kim loại nào sau đây khi chế tạo cảm biến đo được nhiệt độ cao nhất:

A. Pt

B. Cu

C. W

D. Ni

Câu 5: Các phương pháp đo nhiệt độ là:

A. Phương pháp trực tiếp 

B. Phương pháp quang điện

C. Phương pháp gián tiếp

D. Phương pháp trực tiếp và phương pháp gián tiếp

Câu 6: Cảm biến đo dịch chuyển dùng điện dung theo nguyên lý tiết diện thực thay đổi là do:

A. Hai bản cực dịch chuyển theo hướng vuông góc với bản cực

B. Hai bản cực dịch chuyển theo hướng song song với bản cực

C.  Lớp điện môi giữa hai bản cực dịch chuyển

D. Tổn hao điện môi giữa hai bản cực thay đổi