Câu hỏi: Biểu đồ Bode biên độ của khâu tích phân lý tưởng G(s)=1/s

A. đi qua điểm ω =0 và có độ dốc là 20dB/dec

B. đi qua điểm ω =0 và có độ dốc là -20dB/dec

C. đi qua điểm ω =1 và có độ dốc là 20dB/dec

D. đi qua điểm ω =1và có độ dốc là -20dB/dec

Câu 1: Cho hệ thống có hàm truyền tương đương sau: 

A. Hệ thống  ổn định, có 2 nghiệm cực bên phải mặt phẳng phức

B. Hệ thống ổn định, có 2 nghiệm cực nằm bên trái mặt phẳng phức

C. Hệ thống không ổn định, có 2 nghiệm cực bên phải mặt phẳng phức, 1 nghiệm cực bên trái mặt phẳng phức

D. Hệ thống không ổn định, có 1 nghiệm bên phải mặt phẳng phức, 2 nghiệm cực bên trái mặt phẳng phức

Câu 2: Hàm truyền đạt \(G(s) = \frac{{{V_o}(s)}}{{{V_i}(s)}}{\cos ^{ - 1}}\theta \)  của mạch điện ở hình sau là:

A. \(- \frac{{{R_2}}}{{{R_1}}} - \frac{1}{{{R_1}Cs}}\)

B. \(- \frac{{{R_2}}}{{{R_1}}} + \frac{1}{{{R_1}Cs}}\)

C. \(\frac{{{R_2}}}{{{R_1}}} + \frac{1}{{{R_1}Cs}}\)

D. \( - \frac{{{R_1}}}{{{R_2}}} - \frac{1}{{{R_1}Cs}}\)

Câu 3: Cho hệ thống có hàm truyền tương đương sau:  

A. Hệ thống không ổn định, có 3 nghiệm cực bên phải mặt phẳng phức

B. Hệ thống ổn định, có 2 nghiệm cực nằm bên trái mặt phẳng phức

C. Hệ thống không ổn định, có 2 nghiệm cực bên phải mặt phẳng phức, 1 nghiệm cực bên trái mặt phẳng phức

D. Hệ thống ở biên giới ổn định, có 1 nghiệm cực nằm trên trục ảo, 2 nghiệm cực bên trái mặt phẳng phức

Câu 4: Hệ thống bất biến theo thời gian là hệ thống có:

A. Tín hiệu ra không thay đổi theo thời gian

B. Phương trình vi phân mô tả hệ thống không thay đổi

C. Tín hiệu vào không thay đổi theo thời gian

D. Hệ số của phương trình vi phân mô tả hệ thống không thay đổi

Câu 5: Hàm truyền đạt của hệ thống nối tiếp:

A. G(s)= Tổng của các Gi(s)

B. G(s) = Tích của các Gi(s)

C. G(s)= Hiệu của các Gi(s)

D. Tỉ số giữa tín hiệu ra và tín hiệu vào

Câu 6: Đặc điểm của khâu hiệu chỉnh PD (Proportional Derivative) là:

A. Làm chậm đáp ứng của hệ thống, tăng thời gian quá độ

B. Làm chậm đáp ứng của hệ thống, giảm thời gian quá độ

C. Làm nhanh đáp ứng của hệ thống, giảm thời gian quá độ

D. Làm nhanh đáp ứng của hệ thống, tăng thời gian quá độ