Câu hỏi: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B. 22n x m bit

C. 22m x n bit

D. 2n x m bit

Câu 1: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 128MB, cache: 64KB, line: 16 byte, độ dài ngăn nhớ: 1 byte, set: 4 line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A.  13 + 10 + 4

B.  13 + 9 + 5

C. 14 + 9 + 4           

D. 14 + 10 + 4

Câu 2: Trong kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 3: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao

Câu 4: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 32K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit

B. 16K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 32K x 4 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

D. 16K x 16 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit

Câu 5: Đối với các phương pháp ghi dữ liệu vào cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Write through: ghi đồng thời vào cả cache và bộ nhớ chính

B. Write back: chỉ ghi vào cache, khi block tương ứng bị thay thế thì mới ghi vào bộ nhớ chính

C. Cả a và b đều đúng

D. Cả a và b đều sai

Câu 6: Trong sự trao đổi giữa cache và bộ nhớ chính, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Bộ nhớ chính chia thành các block nhớ

B. Cache chia thành các line nhớ

C. Bộ nhớ chính chia thành các line nhớ

D. Kích thước line bằng kích thước block