Câu hỏi: Trong máy tính số, bộ nhớ DRAM được coi là

A. Bộ nhớ bán dẫn tĩnh

B. Bộ nhớ bán dẫn động

C. Bộ nhớ Cache

D. Bộ nhớ bán dẫn

Câu 1: Trong chế độ thực ô nhớ có địa chỉ vật lý là 4BCE0h có thể tương ứng với địa chỉ logic:

A. 4ACEh:1010h

B. 4ACEh:1100h

C. 4BCEh:0010h

D. 4 BCDh:0010h

Câu 2: Trong chế độ thực địa chỉ vật lý của ô nhớ trong bộ nhớ vật lý được xác định từ địa chỉ logic như sau

A. Địa chỉ vật lý = địa chỉ nền đoạn+Địa chỉ offset

B. Địa chỉ vật lý = địa chỉ đoạn*10002+Địa chỉ offset

C. Địa chỉ vật lý = địa chỉ đoạn*16h+Địa chỉ offset

D. Địa chỉ vật lý = địa chỉ đoạn*10+Địa chỉ offset

Câu 3: Trong cơ chế quản lý phân đoạn chế độ bảo vệ, bộ mô tả đoạn nằm trong

A. Bảng LDT, GDT hoặc IDT

B. Chỉ nằm trong LDT

C. Chỉ nằm trong GDT

D. Nằm ở GDT và LDT

Câu 4: Trong chế độ thực ô nhớ có địa chỉ logic 3ACFh:1000h có địa chỉ vật lý là

A. 4BCF0h

B. 3BCE0h

C. 3BCF0h

D. 3BDF0h

Câu 5: Với 24 đường địa chỉ vi xử lý trung tâm có thể quản lý được bộ nhớ vật lý với dung lượng tối đa là:

A. 24MB

B. 24KB

C. 242Bytes

D. 224 Bytes

Câu 6: Trong một đoạn chương trình viết bằng ASM có đoạn mã sau: MOV Ax,[Bx] ;Ý nghĩa của lệnh trên là

A. Đưa nội dung của BX vào Ax

B. Đưa nội dung ô nhớ có địa chỉ logic nằm trong Bx vào Ax

C. Đưa nội dung ô nhớ có địa chỉ vật lý nằm trong Bx vào Ax

D. Đưa nội dung ô nhớ có địa chỉ đoạn nằm trong DS, địa chỉ offset nằm trong Bx vào Ax