Câu hỏi: Trong chế độ thực ô nhớ có địa chỉ vật lý là 4BCE0h có thể tương ứng với địa chỉ logic:

A. 4ACEh:1010h

B. 4ACEh:1100h

C. 4BCEh:0010h

D. 4 BCDh:0010h

Câu 1: Mã lệnh là:

A. Mật mã cho biết lệnh cần thực hiện nằm ở đâu trong bộ nhớ

B. Chuỗi số nhị phân chứa thông tin về các thao tác cần thiết để thực hiện lệnh

C. Chuỗi số nhị phân chỉ ra lệnh nằm ở đâu trong bộ nhớ

D. Là chuỗi số nhị phân do người lập trình gán cho câu lệnh

Câu 2: Địa chỉ nền đoạn nhớ

A. là địa chỉ vật lý của ô nhớ có địa chỉ vật lý cao nhất trong đoạn nhớ đó

B. là địa chỉ vật lý của ô nhớ có địa chỉ vật lý thấp nhất trong đoạn nhớ đó

C. được xác định bằng Địa chỉ đoạn*10

D. được xác định bằng Địa chỉ đoạn *10002

Câu 3: Trong chế độ thực  ô nhớ có địa chỉ logic 3001h:A599h có địa chỉ vật lý là

A. 3A5A9h

B. 3A609h

C. D59Ah

D. 3A59Ah

Câu 4: Khi chạy đoạn chương trình: for i:=length(st) down to 1 do writeln(st[i]). Với st là xâu ký tự thì nội dung thanh ghi

A. DI và SI tăng lên 1sau mỗi lần lặp

B. DI và SI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

C. SI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

D. DI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

Câu 5: Trong chế độ thực địa chỉ vật lý của ô nhớ trong bộ nhớ vật lý được xác định từ địa chỉ logic như sau

A. Địa chỉ vật lý = địa chỉ nền đoạn+Địa chỉ offset

B. Địa chỉ vật lý = địa chỉ đoạn*10002+Địa chỉ offset

C. Địa chỉ vật lý = địa chỉ đoạn*16h+Địa chỉ offset

D. Địa chỉ vật lý = địa chỉ đoạn*10+Địa chỉ offset

Câu 6: Khi chạy đoạn chương trình: for i:= 1 to length(st) do writeln(st[i]). Với st là xâu ký tự thì nội dung thanh ghi

A. DI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

B. DI và SI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

C. SI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

D. DI và SI tăng lên 1sau mỗi lần lặp