Câu hỏi: Trong kỹ thuật ánh xạ liên kết hoàn toàn, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 1: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao

Câu 2: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 32K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit  

B. 16K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 32K x 8 bit để có modul nhớ 64K x 16 bit 

D. 32K x 8 bit để có modul nhớ 64K x 8 bit

Câu 3: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 256MB, cache: 128KB, line: 128 byte, độ dài ngăn nhớ: 4 byte, set: 8 line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 13 + 8 + 5       

B. 13 + 7 + 6

C. 14 + 7 + 5         

D. 14 + 8 + 6

Câu 4: Trong kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 5: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 4 IC SRAM:

A. 4K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

B. 8K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 8K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

D. 8K x 16 bit để có modul nhớ 16K x 16 bit

Câu 6: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối 4 IC SRAM:

A. 8K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

B. 8K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 4 bit

C. 8K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

D. 8K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 16 bit