Câu hỏi: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 4 IC SRAM:

A. 2K x 8 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

B. 2K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit 

C. 1K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 4 bit

D. 1K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

Câu 1: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. LIFO là TT thay đi block cũ nhất trong các block hiện nay

B. LTU là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LVU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất

D. Tất cả đều sai

Câu 2: Đối với bộ nhớ cache, xét nguyên lý định vị về thời gian, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Thông tin vừa truy nhập thì xác suất bé là sau đó nó sẽ được truy nhập lại

B. Thông tin vừa truy nhập thì xác suất lớn là sau đó nó sẽ được truy nhập lại

C. Thông tin vừa truy nhập thì sau đó chắc chắn nó sẽ không được truy nhập lại

D. Thông tin vừa truy nhập thì chắc chắn là sau đó nó được truy nhập lại

Câu 3: Trong kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 4: Với chip nhớ DRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 22m x n bit

B. 22n x m bit

C.  22m x n byte

D. 22n x m byte

Câu 5: Xét bộ nhớ cache, có các kỹ thuật ánh xạ địa chỉ sau đây: 

A. Trực tiếp, liên kết hoàn toàn, liên kết tập hợp

B. Liên kết hoàn toàn, liên kết phụ thuộc, gián tiếp

C. Liên kết tập hợp, liên kết phần tử, gián tiếp

D. Trực tiếp, liên kết phần tử, liên kết gián đoạn

Câu 6: Đối với các phương pháp ghi dữ liệu vào cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Write through: ghi đồng thời vào cả cache và bộ nhớ chính

B. Write back: chỉ ghi vào cache, khi block tương ứng bị thay thế thì mới ghi vào bộ nhớ chính

C. Cả a và b đều đúng

D. Cả a và b đều sai