Câu hỏi: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 4 IC SRAM:

A. 2K x 8 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

B. 2K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit 

C. 1K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 4 bit

D. 1K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

Câu 1: Đối với bộ nhớ cache, xét kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, thứ tự tìm block trong cache được thực hiện dựa theo các giá trị trong địa chỉ do CPU phát ra như sau:

A. Word -> Set -> Tag

B. Set -> Word -> Tag 

C.  Set -> Tag -> Word

D. Word -> Tag -> Set

Câu 2: Trong kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 3: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B. 2n x m bit

C. 2m x n byte

D. 2n x m byte

Câu 4: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 128MB, cache: 64KB, line: 16 byte, độ dài ngăn nhớ: 1 byte, set: 4 line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A.  13 + 10 + 4

B.  13 + 9 + 5

C. 14 + 9 + 4           

D. 14 + 10 + 4

Câu 5: Đối với các phương pháp ghi dữ liệu vào cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Write through: ghi đồng thời vào cả cache và bộ nhớ chính

B. Write back: chỉ ghi vào cache, khi block tương ứng bị thay thế thì mới ghi vào bộ nhớ chính

C. Cả a và b đều đúng

D. Cả a và b đều sai

Câu 6: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 128MB, cache: 64KB, line: 8 byte, độ dài ngăn nhớ: 1 byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 12 + 10 + 5     

B. 13 + 10 + 4

C. 14 + 11 + 2           

D.  14 + 10 + 3