Câu hỏi: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 4 IC SRAM:

A. 2K x 8 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

B. 2K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit 

C. 1K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 4 bit

D. 1K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

Câu 1: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 256MB, cache: 64KB, line: 16 byte, độ dài  ngăn nhớ: 4 byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết hoàn toàn, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 13 + 11 + 2      

B. 12 + 12 + 2

C. 24 + 4            

D. 24 + 2

Câu 2: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 256MB, cache: 128KB, line: 16 byte, độ dài ngăn nhớ: 2 byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 11 + 13 + 3            

B.  11 + 14 + 2

C. 12 + 13 + 4          

D. 12 + 12 + 3

Câu 3: Đối với các phương pháp ghi dữ liệu vào cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Write back: ghi đồng thời vào cả cache và bộ nhớ chính

B. Write through: chỉ ghi vào cache, khi block tương ứng bị thay thế thì mới ghi vào bộ nhớ chính

C. Cả a và b đều không đúng

D. Cả a và b đều đúng

Câu 4: Cho chip nhớ như hình vẽ, đây là ký hiệu của:

A. SRAM 4K x 8 bit

B. DRAM 4 K x 8 bit

C. SRAM 2K x 8 bit

D. DRAM 2 K x 8 bit

Câu 5: Xét sơ đồ phân cấp hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Từ bộ nhớ cache đến bộ nhớ ngoài, tốc độ nhanh dần

B. Từ thanh ghi đến bộ xử lý, tốc độ tăng dần

C. Từ bộ nhớ ngoài đến thanh ghi, dung lượng giảm dần

D. Từ bộ nhớ trong đến bộ nhớ cache, tần suất truy nhập giảm dần

Câu 6: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao