Câu hỏi: Tọa độ điểm phân cực Q của JFET là:

A. IB, IC, VCE

B. IB, IC, VBE

C. VGS, ID, VDS

D. IA, ID, VDS

Câu 1: Điện trở giữa B1 và B2 của UJT:

A. 40Ω ÷ 1K

B. 1K ÷ 30K

C. 30K ÷ 300K

D. 300K trở lên

Câu 2: TRIAC là một linh kiện:

A. Thụ động

B. Có vùng điện trở âm

C. Câu a đúng, b sai

D. Câu a sai, b đúng

Câu 3: IC đóng gói được ký hiệu DIP(Dual Inline Package) có đặc điểm:

A. Có ba chân thẳng hàng

B. Có hai hàng chân

C. Có một hàng chân

D. Có 4 hàng chân

Câu 4: MOSFET loại tăng kênh N có cấu tạo khác MOSFET loại hiếm kênh N:

A. Có sẵn kênh N

B. Không có sẵn kênh N

C. Có sẵn kênh P

D. Không có sẵn kênh P

Câu 5: Theo họ đặc tuyến ngõ ra của JFET kênh N ta có:

A. ID đạt giá trị bão hòa cao nhất ứng với VGS = 0V

B. ID đạt giá trị bão hòa cao nhất ứng với VGS = -1V

C. ID đạt giá trị bão hòa cao nhất ứng với VGS = -2V

D. ID giảm khi VDS tăng

Câu 6: Để làm tắt được SCR khi đã dẫn, ta phải:

A. Ngắt dòng IA 

B. Chỉ cho VGK = 0

C. Ngắt dòng IG

D. Cả ba câu đều sai