Câu hỏi: Tọa độ điểm phân cực Q của JFET là:

A. IB, IC, VCE

B. IB, IC, VBE

C. VGS, ID, VDS

D. IA, ID, VDS

Câu 1: IC đóng gói được ký hiệu DIP(Dual Inline Package) có đặc điểm:

A. Có ba chân thẳng hàng

B. Có hai hàng chân

C. Có một hàng chân

D. Có 4 hàng chân

Câu 2: Trên đặc tuyến chuyển của JFET kênh N ta thấy:

A. VGS càng âm thì ID càng lớn

B. VGS = 0V thì ID = 0A

C. VGS càng âm thì ID càng nhỏ

D.  VGS = 0V thì ID < 0

Câu 3: MOSFET loại tăng kênh N có cấu tạo khác MOSFET loại hiếm kênh N:

A. Có sẵn kênh N

B. Không có sẵn kênh N

C. Có sẵn kênh P

D. Không có sẵn kênh P

Câu 4: Hiệu điện thế giữa cực thoát và cực nguồn của MOSFET gọi là:

A. VGS

B. VBE

C. VCE

D. VDS

Câu 5: Mạch khuếch đại hạng A là mạch khuếch đại:

A. Toàn sóng 

B. Một bán kỳ

C. Một nửa bán kỳ 

D. Cả ba câu đều sai

Câu 6: MOSFET loại hiếm kênh N có cấu tạo khác MOSFET loại tăng kênh N:

A. Không có sẵn kênh N

B. Có sẵn kênh N

C. Câu a sai, b đúng

D. Câu a đúng, b sai