Câu hỏi: Tọa độ điểm phân cực Q của JFET là:

A. IB, IC, VCE

B. IB, IC, VBE

C. VGS, ID, VDS

D. IA, ID, VDS

Câu 1: Theo họ đặc tuyến ngõ ra của JFET kênh N ta có:

A. ID đạt giá trị bão hòa cao nhất ứng với VGS = 0V

B. ID đạt giá trị bão hòa cao nhất ứng với VGS = -1V

C. ID đạt giá trị bão hòa cao nhất ứng với VGS = -2V

D. ID giảm khi VDS tăng

Câu 2: UJT là:

A. Transistor lưỡng nối 

B. Transistor hiệu ứng trường

C. Transistor đơn nối

D. Quang transistor

Câu 3: Phát biểu nào đúng về Op_amp lưỡng cực và Op_amp BiFET.

A. Op_amp lưỡng cực có dòng phân cực lớn hơn so với op_amp BiFET

B. Op_amp lưỡng cực có dòng phân cực nhỏ hơn so với op_amp BiFET

C. Op_amp lưỡng cực có dòng phân cực bằng dòng phân cực op_amp BiFET

D. Op_amp lưỡng và op_amp BiFET có dòng phân cực bằng 0

Câu 4: SCR có điện áp VAK>0 thì trong SCR có:

A. 3 mối nối P-N được phân cực thuận

B. 3 mối nối P-N được phân cực nghịch

C. 1 mối nối P-N được phân cực thuận và 2 mối nối P-N được phân cực nghịch

D. Cả ba câu đều sai

Câu 5: Mạch khuếch đại hạng A là mạch khuếch đại:

A. Toàn sóng 

B. Một bán kỳ

C. Một nửa bán kỳ 

D. Cả ba câu đều sai

Câu 6: MOSFET loại hiếm kênh P có cấu tạo khác MOSFET loại tăng kênh P:

A. Có sẵn kênh P

B. Không có sẵn kênh P

C. Có sẵn kênh N

D. Không có sẵn kênh N