Câu hỏi: Hiệu điện thế giữa cực thoát và cực nguồn của MOSFET gọi là:

A. VGS

B. VBE

C. VCE

D. VDS

Câu 1: MOSFET loại hiếm kênh P có cấu tạo khác MOSFET loại tăng kênh P:

A. Có sẵn kênh P

B. Không có sẵn kênh P

C. Có sẵn kênh N

D. Không có sẵn kênh N

Câu 2: Để làm tắt được SCR khi đã dẫn, ta phải:

A. Ngắt dòng IA 

B. Chỉ cho VGK = 0

C. Ngắt dòng IG

D. Cả ba câu đều sai

Câu 3: Phát biểu nào đúng về Op_amp lưỡng cực và Op_amp BiFET.

A. Op_amp lưỡng cực có dòng phân cực lớn hơn so với op_amp BiFET

B. Op_amp lưỡng cực có dòng phân cực nhỏ hơn so với op_amp BiFET

C. Op_amp lưỡng cực có dòng phân cực bằng dòng phân cực op_amp BiFET

D. Op_amp lưỡng và op_amp BiFET có dòng phân cực bằng 0

Câu 4: Nguồn cấp điện luôn là:

A. Nguồn dòng

B. Nguồn áp

C. Câu a và b đúng 

D. Câu a và b sai

Câu 5: IC đóng gói được ký hiệu DIP(Dual Inline Package) có đặc điểm:

A. Có ba chân thẳng hàng

B. Có hai hàng chân

C. Có một hàng chân

D. Có 4 hàng chân

Câu 6: MOSFET loại tăng kênh N có cấu tạo khác MOSFET loại hiếm kênh N:

A. Có sẵn kênh N

B. Không có sẵn kênh N

C. Có sẵn kênh P

D. Không có sẵn kênh P