Câu hỏi: Tần số giới hạn trên của bộ khuếch đại dải rộng được xác định bởi các yếu tố nào:

A. điện trở tải

B. các tụ điện mắc song song với tải 

C. trở kháng ra 

D. cả A và B

Câu 1: Ở chế độ tĩnh, VC của mạch ở hình được xác định theo công thức:

A. VCC-IBRB 

B. VCC-ICRC 

C. VCC-IERE 

D. A,B,C đều sai

Câu 2: Méo xuyên tâm trong tầng khuếch đại công suất xuất hiện do:

A. Do điện áp phân cực ban đầu

B. Do không có điện áp phân cực ban đầu

C. Do mỗi transistor của tầng đẩy kéo chỉ làm việc ở một nửa chu kỳ tín hiệu 

D. A, B, C đều sai

Câu 3: Ở chế độ tĩnh, dòng IB của mạch ở hình  được xác định theo công thức:

A. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + {R_E}}}\)

B. \({I_B} \approx \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + \beta {R_E}}}\)

C. \({I_B} = \frac{{{V_{CC}} - {V_{BE}}}}{{{R_B} + (1 + \beta ){R_E}}}\)

D. Cả B,C đều đúng

Câu 4: Ở hình, kiểu hồi tiếp sử dụng trong mạch là:

A. hồi tiếp nối tiếp điện áp xoay chiều

B. hồi tiếp song song điện áp một chiều 

C. hồi tiếp song song điện áp một chiều

D. ngoài các đáp án trên

Câu 5: Với tầng khuếch đại công suất, chế độ B có đặc điểm:

A. méo xuyên tâm 

B. hiệu suất cao 

C. khuếch đại nửa chu kỳ của tín hiệu vào 

D. A, B, C đều đúng

Câu 6: Với tầng khuếch đại công suất, các transistor khuếch đại tín hiệu lớn có đặc tính làm việc:

A. làm việc trong miền tuyến tính 

B. không làm việc trong miền tuyến tính 

C. có thể dùng sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ để xét bộ khuếch đại 

D. B và C đều đúng