Câu hỏi: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 2K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 4 bit

B. 2K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

C. 2K x 4 bit để có modul nhớ 2K x 8 bit

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 4 bit

Câu 1: Cho chip nhớ như hình vẽ, đây là ký hiệu của:

A. SRAM 4K x 8 bit

B. DRAM 4 K x 8 bit

C. SRAM 2K x 8 bit

D. DRAM 2 K x 8 bit

Câu 2: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 32K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit

B. 16K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 32K x 4 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

D. 16K x 16 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit

Câu 3: Với chip nhớ DRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 22m x n bit

B. 22n x m bit

C.  22m x n byte

D. 22n x m byte

Câu 4: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 256MB, cache: 128KB, line: 128 byte, độ dài ngăn nhớ: 4 byte, set: 8 line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 13 + 8 + 5       

B. 13 + 7 + 6

C. 14 + 7 + 5         

D. 14 + 8 + 6

Câu 5: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. FIFO là TT thay đi block cũ nhất trong các block hiện nay

B. FIFO là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LRU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất

D. Random là TT thay đi block ngẫu nhiên

Câu 6: Đối với các phương pháp ghi dữ liệu vào cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Write through: ghi đồng thời vào cả cache và bộ nhớ chính

B. Write back: chỉ ghi vào cache, khi block tương ứng bị thay thế thì mới ghi vào bộ nhớ chính

C. Cả a và b đều đúng

D. Cả a và b đều sai