Câu hỏi: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối 4 IC SRAM:

A. 4K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

B. 8K x 8 bit để có modul nhớ 8K x 16 bit

C. 8K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit 

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

Câu 1: Đối với bộ nhớ cache, các thuật toán thay thế dữ liệu là: 

A. Ngẫu nhiên, FIFO, LRU, LFU

B. Ngẫu nhiên, LIFO, LRU, LFU

C. Ngẫu nhiên, FIFO, LFU, LTU

D. Ngẫu nhiên, LIFO, LTU, LVU

Câu 2: Trong kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Set

B. Tag + Word

C. Tag + Set + Word

D. Tag + Set

Câu 3: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B. 22n x m bit

C. 22m x n bit

D. 2n x m bit

Câu 4: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B. 2n x m bit

C. 2m x n byte

D. 2n x m byte

Câu 5: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 128MB, cache: 64KB, line: 16 byte, độ dài ngăn nhớ: 1 byte, set: 4 line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A.  13 + 10 + 4

B.  13 + 9 + 5

C. 14 + 9 + 4           

D. 14 + 10 + 4

Câu 6: Đối với các phương pháp ghi dữ liệu vào cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Write through: ghi đồng thời vào cả cache và bộ nhớ chính

B. Write back: chỉ ghi vào cache, khi block tương ứng bị thay thế thì mới ghi vào bộ nhớ chính

C. Cả a và b đều đúng

D. Cả a và b đều sai