Câu hỏi: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối 4 IC SRAM:

A. 4K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

B. 8K x 8 bit để có modul nhớ 8K x 16 bit

C. 8K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit 

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

Câu 1: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 256MB, cache: 128KB, line: 16 byte, độ dài ngăn nhớ: 2 byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 11 + 13 + 3            

B.  11 + 14 + 2

C. 12 + 13 + 4          

D. 12 + 12 + 3

Câu 2: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 32K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit

B. 16K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 32K x 4 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

D. 16K x 16 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit

Câu 3: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao

Câu 4: Trong kỹ thuật ánh xạ liên kết hoàn toàn, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 5: Trong kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, các trường địa chỉ là:

A. Tag + Word + Line

B. Tag + Word

C. Tag + Line + Word

D. Tag + Line

Câu 6: Đối với bộ nhớ cache, các thuật toán thay thế dữ liệu là: 

A. Ngẫu nhiên, FIFO, LRU, LFU

B. Ngẫu nhiên, LIFO, LRU, LFU

C. Ngẫu nhiên, FIFO, LFU, LTU

D. Ngẫu nhiên, LIFO, LTU, LVU