Câu hỏi: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối 4 IC SRAM:

A. 8K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

B. 8K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 4 bit

C. 8K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

D. 8K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 16 bit

Câu 1: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. FIFO là TT thay đi block mới nhất trong các block hiện nay

B. LRU là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LFU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất 

D. Tất cả đều sai

Câu 2: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao

Câu 3: Xét kỹ thuật ánh xạ trực tiếp khi truy nhập cache, thứ tự tìm block trong cache được thực hiện dựa theo các trường trong địa chỉ do CPU phát ra như sau:

A. Line -> Tag -> Word

B. Line -> Word -> Tag

C. Tag -> Line -> Word

D. Tag -> Word -> Line

Câu 4: Xét bộ nhớ cache, mỗi line được gắn thêm Tag là để:

A. Xác định block nào của bộ nhớ chính đang ở trong line

B. Xác định cache có dung lượng bao nhiêu

C. Xác định line có dung lượng bao nhiêu

D. Xác định cache có bao nhiêu line

Câu 5: Đối với các phương pháp ghi dữ liệu vào cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Write through: ghi đồng thời vào cả cache và bộ nhớ chính

B. Write back: chỉ ghi vào cache, khi block tương ứng bị thay thế thì mới ghi vào bộ nhớ chính

C. Cả a và b đều đúng

D. Cả a và b đều sai

Câu 6: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 2K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 4 bit

B. 2K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

C. 2K x 4 bit để có modul nhớ 2K x 8 bit

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 4 bit