Câu hỏi: Hãy tính địa chỉ vật lý của một ô nhớ nếu biết địa chỉ logic của nó là 3ACF:1000

A. 3BCF0

B. 3BDF0

C. 3BCE0

D. 4BCF0

Câu 1: Bộ nhớ ROM có thể lập trình 1 lần được gọi là:

A. ROM

B. PROM

C. EPROM

D. EEPROM

Câu 2: Bộ nhớ ROM có thể ghi và xoá bằng điện được gọi là

A. ROM

B. PROM

C. EPROM

D. EEPROM

Câu 3: Thực hiện phép cộng 2 số nguyên không dấu sau: 71 + 25

A. 01100000

B. 01010000

C. 10100000

D. 01101000

Câu 4:  640 KB đầu tiên của bộ nhớ gọi là:

A. Bộ nhớ mở rộng

B. Bộ nhớ qui ước

C. Bộ nhớ phân trang

D. Bộ nhớ vùng trên

Câu 5: RAM có đặc điểm nào trong các đặc điểm sau

A. Bộ nhớ chỉ đọc

B. Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên

C. Bộ nhớ chỉ ghi

D. Mất điện không bị mất thông tin

Câu 6: Trong máy tính, bộ nhớ DRAM được coi là

A. Bộ nhớ bán dẫn động

B. Bộ nhớ bán dẫn tĩnh

C. Bộ nhớ ngoài

D. Bộ nhớ trong