Câu hỏi: Hãy tính địa chỉ vật lý của một ô nhớ nếu biết địa chỉ logic của nó là 3ACF:1000

A. 3BCF0

B. 3BDF0

C. 3BCE0

D. 4BCF0

Câu 1: Nhiệm vụ chính của ALU là:

A. Thực hiện phép cộng

B. Như là đầu vào của thanh ghi tích lũy

C. Thay đổi logic hoặc số học các từ dữ liệu

D. Tất cả các công việc được kể ở đây.

Câu 2: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 3: Trong các yếu tố sau, yếu tố nào thường không thay đổi trong quá trình truy cập dữ liệu trên đĩa và phụ thuộc nhiều vào công nghệ chế tạo đĩa cứng:

A. Thời gian dịch chuyển đầu đọc trung bình

B. Thời gian trễ do quay đĩa

C. Thời gian đọc/ghi dữ liệu

D. Cả (a) và (b) đều đúng

Câu 4: SDRAM có nghĩa là:

A. RAM vừa tĩnh, vừa động

B. RAM có tốc độ chạy đồng bộ với Bus hệ thống

C. RAM động

D. RAM tĩnh

Câu 5: Hầu hết các phép toán số học và logic trong vi xử lý thực hiện thao tác giữa các nội dung của vùng nhớ hoặc nội dung của thanh ghi với :

A. Thanh ghi tích lũy A fc

B. PC

C. Thanh ghi địa chỉ bộ nhớ

D. Thanh ghi lệnh

Câu 6: Với một đĩa mềm có kích thước 360 Kb và số sector trên một track là 9, số track của đĩa mềm là:

A. 80

B. 36

C. 39

D. 40