Câu hỏi: Hầu hết các phép toán số học và logic trong vi xử lý thực hiện thao tác giữa các nội dung của vùng nhớ hoặc nội dung của thanh ghi với :
A. Thanh ghi tích lũy A fc
B. PC
C. Thanh ghi địa chỉ bộ nhớ
D. Thanh ghi lệnh
Câu 1: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:
A. Có thể dùng điện để xoá PROM
B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần
C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần
D. Có thể dùng điện để xoá EPROM
30/08/2021 4 Lượt xem
Câu 2: Trong máy tính, bộ nhớ SRAM được coi là
A. Bộ nhớ bán dẫn tĩnh
B. Bộ nhớ ngoài
C. Bộ nhớ trong
D. Bộ nhớ bán dẫn động
30/08/2021 3 Lượt xem
Câu 3: Có biểu diễn “1111 1101” đối với số nguyên có dấu, 8 bit, dùng phương pháp “Mã bù 2”, giá trị của nó là:
A. Không tồn tại
B. – 3
C. 3
D. 253
30/08/2021 4 Lượt xem
Câu 4: Tín hiệu điều khiển RAS của CPU trong việc nạp dữ liệu được dùng để điều khiển
A. Nạp địa chỉ hàng của DRAM
B. Nạp địa chỉ cột của DRAM
C. Nạp địa chỉ hàng của SRAM
D. Nạp địa chỉ cột của SRAM
30/08/2021 3 Lượt xem
Câu 5: 640 KB đầu tiên của bộ nhớ gọi là:
A. Bộ nhớ mở rộng
B. Bộ nhớ qui ước
C. Bộ nhớ phân trang
D. Bộ nhớ vùng trên
30/08/2021 4 Lượt xem
Câu 6: Hãy tính địa chỉ vật lý của một ô nhớ nếu biết địa chỉ logic của nó là 3ACF:1000
A. 3BCF0
B. 3BDF0
C. 3BCE0
D. 4BCF0
30/08/2021 4 Lượt xem
Câu hỏi trong đề: Bộ câu hỏi trắc nghiệm kiến trúc máy tính có đáp án - Phần 2
- 9 Lượt thi
- 50 Phút
- 50 Câu hỏi
- Người đi làm
Cùng chủ đề Bộ câu hỏi trắc nghiệm kiến trúc máy tính có đáp án
- 1.7K
- 55
- 50
-
94 người đang thi
- 1.3K
- 9
- 50
-
48 người đang thi
- 1.3K
- 6
- 50
-
69 người đang thi
- 1.8K
- 6
- 50
-
60 người đang thi
Chia sẻ:
Đăng Nhập để viết bình luận