Câu hỏi: Bộ nhớ bán dẫn là

A. Ổ đĩa cứng

B. Đĩa CD-ROM

C. RAM và ROM

D. Cả 3 loại trên

Câu 1: Tín hiệu điều khiển RAS của CPU trong việc nạp dữ liệu được dùng để điều khiển

A. Nạp địa chỉ hàng của DRAM

B. Nạp địa chỉ cột của DRAM

C. Nạp địa chỉ hàng của SRAM

D. Nạp địa chỉ cột của SRAM

Câu 2: Vùng nhớ từ 640 KB đến 1024 K gọi là

A. Bộ nhớ qui ước

B. Bộ nhớ vùng trên

C. Bộ nhớ vùng cao

D. Bộ nhớ mở rộng

Câu 3: Địa chỉ OFFSET của một ô nhớ được quan niệm là

A. Địa chỉ của một đoạn chứa ô nhớ

B. Địa chỉ vật lý của ô nhớ  

C. Địa chỉ lệnh trong đoạn chứa ô nhớ

D. Địa chỉ logic của một ô nhớ

Câu 4:  640 KB đầu tiên của bộ nhớ gọi là:

A. Bộ nhớ mở rộng

B. Bộ nhớ qui ước

C. Bộ nhớ phân trang

D. Bộ nhớ vùng trên

Câu 5: Thực hiện phép nhân 2 số nguyên có dấu sau: 12 x 11

A. 10000100

B. 11000100

C. 11000010

D. 10001001

Câu 6: Trong các yếu tố sau, yếu tố nào thường không thay đổi trong quá trình truy cập dữ liệu trên đĩa và phụ thuộc nhiều vào công nghệ chế tạo đĩa cứng:

A. Thời gian dịch chuyển đầu đọc trung bình

B. Thời gian trễ do quay đĩa

C. Thời gian đọc/ghi dữ liệu

D. Cả (a) và (b) đều đúng