Câu hỏi: Thực hiện phép cộng 2 số nguyên không dấu sau: 71 + 25

A. 01100000

B. 01010000

C. 10100000

D. 01101000

Câu 1: Hãy tính địa chỉ vật lý của một ô nhớ nếu biết địa chỉ logic của nó là 3ACF:1000

A. 3BCF0

B. 3BDF0

C. 3BCE0

D. 4BCF0

Câu 2: Bộ nhớ ROM có thể ghi và xoá bằng tia cực tím được gọi là

A. ROM

B. PROM

C. EPROM

D. EEPROM

Câu 3: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 4: Trong các yếu tố sau, yếu tố nào thường không thay đổi trong quá trình truy cập dữ liệu trên đĩa và phụ thuộc nhiều vào công nghệ chế tạo đĩa cứng:

A. Thời gian dịch chuyển đầu đọc trung bình

B. Thời gian trễ do quay đĩa

C. Thời gian đọc/ghi dữ liệu

D. Cả (a) và (b) đều đúng

Câu 5: Vùng nhớ từ 640 KB đến 1024 K gọi là

A. Bộ nhớ qui ước

B. Bộ nhớ vùng trên

C. Bộ nhớ vùng cao

D. Bộ nhớ mở rộng

Câu 6: Số chân dữ liệu của module nhớ SDRAM là

A. 32 chân

B. 128 chân

C. 256 chân

D. 64 chân