Câu hỏi: Đối với mode địa chỉ ngăn xếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng được ngầm hiểu

B. Toán hạng là ngăn nhớ đỉnh ngăn xếp

C. Cả và b đều sai

D. Cả a và b đều đúng

Câu 1: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 2: Đối với lệnh mã máy, toán hạng không thể là:

A. Một hằng số

B. Nội dung của thanh ghi

C. Nội dung của ngăn nhớ

D. Nội dung của thanh ghi có địa chỉ nằm trong một ngăn nhớ

Câu 3: Đối với mode địa chỉ gián tiếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ

B. Toán hạng là nội dung của thanh ghi

C. Có thể gián tiếp nhiều lần

D. Tốc độ xử lý chậm

Câu 4: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Có tất cả 5 loại ROM

B. Là loại bộ nhớ khả biến

C. Là nơi chứa các chương trình hệ thống (BIOS)

D.  Là nơi chứa các vi chương trình

Câu 5: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng 64K x 4 bit, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Các đường địa chỉ là: A0  -> A15

B. Các đường địa chỉ là: D0 -> D15

C. Các đường dữ liệu là: A0 -> A3

D. Các đường dữ liệu là: D1 -> D8

Câu 6: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu: A0 -> A13, D0 -> D15 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Dung lượng của chip là: 16K x 16 bit

B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu