Câu hỏi: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao

Câu 1: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B. 22n x m bit

C. 22m x n bit

D. 2n x m bit

Câu 2: Xét các thuật toán thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Không có thuật toán

B. Ánh xạ trực tiếp không có thuật toán thay thế

C. Hai ánh xạ liên kết (hoàn toàn và tập hợp) có 4 thuật toán

D. Cả b và c đều đúng

Câu 3: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 4 IC SRAM:

A. 4K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

B. 8K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 8K x 8 bit để có modul nhớ 16K x 8 bit

D. 8K x 16 bit để có modul nhớ 16K x 16 bit

Câu 4: Khi CPU truy nhập cache, có hai khả năng sau: 

A. Trượt cache, trúng cache

B. Sai cache, đúng cache

C. Trên cache, dưới cache

D. Trong cache, ngoài cache

Câu 5: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 128MB, cache: 64KB, line: 8 byte, độ dài ngăn nhớ: 1 byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ trực tiếp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 12 + 10 + 5     

B. 13 + 10 + 4

C. 14 + 11 + 2           

D.  14 + 10 + 3

Câu 6: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 32K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit

B. 16K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 32K x 4 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

D. 16K x 16 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit