Câu hỏi: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao

Câu 1: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 4 bit

B. 8K x 4 bit để có modul nhớ 16K x 4 bit 

C. 8K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

Câu 2: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 4 IC SRAM:

A. 2K x 8 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

B. 2K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit 

C. 1K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 4 bit

D. 1K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

Câu 3: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 128MB, cache: 64KB, line: 16 byte, độ dài ngăn nhớ: 1 byte, set: 4 line. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết tập hợp, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A.  13 + 10 + 4

B.  13 + 9 + 5

C. 14 + 9 + 4           

D. 14 + 10 + 4

Câu 4: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B. 2n x m bit

C. 2m x n byte

D. 2n x m byte

Câu 5: Hình vẽ dưới đây là sơ đồ kết nối của 4 IC SRAM:

A. 4K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

B.  4K x 2 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

C. 8K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 8 bit

D. 8K x 2 bit để có modul nhớ 16K x 2 bit

Câu 6: Xét sơ đồ phân cấp hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Từ bộ nhớ cache đến bộ nhớ ngoài, tốc độ nhanh dần

B. Từ thanh ghi đến bộ xử lý, tốc độ tăng dần

C. Từ bộ nhớ ngoài đến thanh ghi, dung lượng giảm dần

D. Từ bộ nhớ trong đến bộ nhớ cache, tần suất truy nhập giảm dần