Câu hỏi: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. TT Random cho tỉ lệ cache hit thấp nhất

B. TT LRU cho tỉ lệ cache hit cao nhất

C. TT FIFO cho tỉ lệ cache hit cao nhất

D. TT LFU cho tỉ lệ cache hit tương đối cao

Câu 1: Với chip nhớ SRAM có n đường địa chỉ, m đường dữ liệu thì dung lượng của chip là:

A. 2m x n bit

B. 22n x m bit

C. 22m x n bit

D. 2n x m bit

Câu 2: Xét bộ nhớ cache, mỗi line được gắn thêm Tag là để:

A. Xác định block nào của bộ nhớ chính đang ở trong line

B. Xác định cache có dung lượng bao nhiêu

C. Xác định line có dung lượng bao nhiêu

D. Xác định cache có bao nhiêu line

Câu 3: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 32K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 16 bit  

B. 16K x 8 bit để có modul nhớ 32K x 8 bit

C. 32K x 8 bit để có modul nhớ 64K x 16 bit 

D. 32K x 8 bit để có modul nhớ 64K x 8 bit

Câu 4: Đối với các thuật toán (TT) thay thế dữ liệu trong cache, phát biểu nào sau đây là sai:

A. FIFO là TT thay đi block cũ nhất trong các block hiện nay

B. FIFO là TT thay đi block có tần suất truy nhập ít nhất

C. LRU là TT thay đi block truy nhập gần đây ít nhất

D. Random là TT thay đi block ngẫu nhiên

Câu 5: Hình vẽ dưới là sơ đồ kết nối của 2 IC SRAM:

A. 2K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 4 bit

B. 2K x 4 bit để có modul nhớ 4K x 8 bit

C. 2K x 4 bit để có modul nhớ 2K x 8 bit

D. 4K x 4 bit để có modul nhớ 8K x 4 bit

Câu 6: Cho máy tính có dung lượng bộ nhớ chính: 256MB, cache: 64KB, line: 16 byte, độ dài  ngăn nhớ: 4 byte. Trong trường hợp kỹ thuật ánh xạ liên kết hoàn toàn, dạng địa chỉ do bộ xử lý phát ra để truy nhập cache là:

A. 13 + 11 + 2      

B. 12 + 12 + 2

C. 24 + 4            

D. 24 + 2