Câu hỏi: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Được chế tạo từ mạch lật

B. Được chế tạo từ transistor

C. Được chế tạo từ diode

D. Cả b và c

Câu 1: Tất cả có các mode địa chỉ sau đây:

A. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, ngăn xếp, gián tiếp qua ngăn xếp, ngăn nhớ, con trỏ

B. Gián tiếp, gián tiếp qua thanh ghi, trực tiếp, dịch chuyển, ngăn xếp, con trỏ, thanh ghi

C. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, dịch chuyển, ngăn xếp, trực tiếp, gián tiếp qua thanh ghi

D. Tức thì, gián tiếp qua con trỏ, thanh ghi, ngăn xếp, dịch chuyển, con trỏ, ngăn nhớ

Câu 2: Hình vẽ sau là sơ đồ hoạt động của mode địa chỉ:

A. Dịch chuyển

B. Gián tiếp qua thanh ghi

C. Trực tiếp

D. Không tồn tại

Câu 3: Đối với mode địa chỉ trực tiếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ có địa chỉ được chỉ ra trong lệnh

B. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ

C. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ ngăn nhớ 

D. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ thanh ghi

Câu 4: Đối với hệ thống nhớ, có các kiểu vật lý như sau:

A. Bộ nhớ từ, RAM, bộ nhớ cache

B. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ cache 

C. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang

D. Bộ nhớ quang, bộ nhớ cache, bộ nhớ từ

Câu 5: Đối với mode địa chỉ dịch chuyển, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Là sự kết hợp: mode gián tiếp qua thanh ghi và mode trực tiếp

B. Có sự tham gia của mode địa chỉ tức thì

C. Địa chỉ toán hạng không phải là: nội dung thanh ghi + hằng số

D. Có sự tham gia của mode địa chỉ thanh ghi

Câu 6: Trong một lệnh mã máy, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể có nhiều mã lệnh

B. Không tồn tại lệnh không có toán hạng

C. Toán hạng là duy nhất

D. Có thể có nhiều toán hạng