Câu hỏi: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Được chế tạo từ mạch lật

B. Được chế tạo từ transistor

C. Được chế tạo từ diode

D. Cả b và c

Câu 1: Mode địa chỉ tức thì là mode:

A. Toán hạng là hằng số nằm ngay trong lệnh

B. Toán hạng là hằng số nằm trong một ngăn nhớ

C. Toán hạng là hằng số nằm trong một thanh ghi

D. Cả b và c đều đúng

Câu 2: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 3: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu: A0 -> A13, D0 -> D15 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Dung lượng của chip là: 16K x 16 bit

B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 4: Xét lệnh ROTATE. Lệnh này thuộc:

A. Nhóm lệnh chuyển điều khiển

B. Nhóm lệnh điều khiển hệ thống

C. Nhóm lệnh quan hệ

D. Nhóm lệnh logic

Câu 5: Cho lệnh assembly: ADD DX, [40]. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

B. Toán hạng nguồn không thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ thanh ghi

D.  Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ thanh ghi

Câu 6: Xét lệnh INTERRUPT. Lệnh này thuộc:

A. Nhóm lệnh số học

B. Nhóm lệnh chuyển dữ liệu

C. Nhóm lệnh chuyển điều khiển

D. Nhóm lệnh vào/ra