Câu hỏi: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 1: Tất cả có các mode địa chỉ sau đây:

A. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, ngăn xếp, gián tiếp qua ngăn xếp, ngăn nhớ, con trỏ

B. Gián tiếp, gián tiếp qua thanh ghi, trực tiếp, dịch chuyển, ngăn xếp, con trỏ, thanh ghi

C. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, dịch chuyển, ngăn xếp, trực tiếp, gián tiếp qua thanh ghi

D. Tức thì, gián tiếp qua con trỏ, thanh ghi, ngăn xếp, dịch chuyển, con trỏ, ngăn nhớ

Câu 2: Đối với hệ thống nhớ, có các kiểu vật lý như sau:

A. Bộ nhớ từ, RAM, bộ nhớ cache

B. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ cache 

C. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang

D. Bộ nhớ quang, bộ nhớ cache, bộ nhớ từ

Câu 3: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. DRAM được chế tạo từ mạch lật

B. DRAM được chế tạo từ tụ điện

C. SRAM được chế tạo từ mạch lật

D. SRAM không cần phải làm tươi

Câu 4: Xét lệnh ROTATE. Lệnh này thuộc:

A. Nhóm lệnh chuyển điều khiển

B. Nhóm lệnh điều khiển hệ thống

C. Nhóm lệnh quan hệ

D. Nhóm lệnh logic

Câu 5: Hình vẽ sau là sơ đồ hoạt động của mode địa chỉ:

A. Gián tiếp qua ngăn nhớ 

B. Không tồn tại

C. Gián tiếp qua thanh ghi

D. Trực tiếp

Câu 6: Đối với mode địa chỉ gián tiếp qua thanh ghi, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng là một thanh ghi có địa chỉ nằm trong một ngăn nhớ

B. Toán hạng là một ngăn nhớ có địa chỉ nằm trong một thanh ghi

C. Toán hạng không phải là nội dung một ngăn nhớ

D. Thanh ghi tham gia gọi là bộ đếm chương trình