Câu hỏi: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 1: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. RAM là viết tắt của: Read Access Memory

C. SRAM được chế tạo từ các tụ điện

D. Là nơi lưu giữ thông tin mà máy tính đang xử lý

Câu 2: Xét về các phương pháp truy nhập trong hệ thống nhớ, phát biểu nào sau đây là sai: 

A. Truy nhập tuần tự đối với bộ nhớ cache

B. Truy nhập liên kết đối với bộ nhớ cache

C. Truy nhập ngẫu nhiên đối với bộ nhớ trong

D. Truy nhập trực tiếp đối với đĩa từ

Câu 3: Trong một lệnh mã máy, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể có nhiều mã lệnh

B. Không tồn tại lệnh không có toán hạng

C. Toán hạng là duy nhất

D. Có thể có nhiều toán hạng

Câu 4: Hình vẽ sau là sơ đồ hoạt động của mode địa chỉ:

A. Gián tiếp qua ngăn nhớ 

B. Không tồn tại

C. Gián tiếp qua thanh ghi

D. Trực tiếp

Câu 5: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng 64K x 4 bit, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Các đường địa chỉ là: A0  -> A15

B. Các đường địa chỉ là: D0 -> D15

C. Các đường dữ liệu là: A0 -> A3

D. Các đường dữ liệu là: D1 -> D8

Câu 6: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Được chế tạo từ mạch lật

B. Được chế tạo từ transistor

C. Được chế tạo từ diode

D. Cả b và c