Câu hỏi: Cảm biến tiệm cận điện cảm đo sự dịch chuyển loại hỗ cảm theo nguyên lý khoảng cách khe hở không khí thay đổi có tín hiệu ra là:

A. Khoảng cách 

B. Hệ số tự cảm

C. Sức điện động

D. Tiết diện

Câu 1: Khi đo biến dạng, các đầu đo biến dạng loại điện trở thường: 

A. Dán trực tiếp lên bề mặt của cấu trúc cần khảo sát

B. Cách bề mặt của cấu trúc cần khảo sát một khoảng \(\delta \)

C. Có tiết diện thay đổi theo chiều dịch chuyển bề mặt của cấu trúc cần khảo sát

D. Có con trượt cơ học liên kết với vật trên bề mặt của cấu trúc cần khảo sát

Câu 2: Dùng 2 Volt kế A, B lần lượt đo điện áp. Khi Volt kế A đo được 300V thì sai số 3V; khi Volt kế B đo được 50V thì sai số 2,5V. Vậy phát biểu nào sau đây là đúng?

A. Độ chính xác của Volt kế A cao hơn

B. Độ chính xác của Volt kế A thấp hơn

C. Sai số tuyệt đối của Volt kế A thấp hơn

D. Sai số tương đối của Volt kế A cao hơn

Câu 3: Thế nào là sai số chủ quan:

A. Là sai số sinh ra do sự không hoàn thiện của phương pháp đo

B. Là sai số của thiết bị đo sử dụng trong phép đo

C. Là sai số gây ra do ảnh hưởng của điều kiện bên ngoài lên đối tượng đo

D. Là sai số gây ra do ngư i sử dụng

Câu 4: Để đảm bảo độ chính xác nhiều khi ta phải đo nhiều lần sau đó lấy giá trị trung bình phương pháp đo này gọi là:

A. Đo trực tiếp

B. Đo gián tiếp

C. Đo thống kê 

D. Đo tương quan

Câu 5: Hệ số đầu đo bán dẫn trong cảm biến đo biến dạng phụ thuộc:

A. Độ pha tạp

B. Nhiệt độ 

C. Độ pha tạp, nhiệt độ 

D. Nhiệt độ, lực gây biến dạng

Câu 6: Điện trở loại N trong đầu đo bán dẫn đo biến dạng nhận được bằng cách:

A. Khuếch tán vào đế Silic loại P một tạp chất thuộc nhóm III 

B. Khuếch tán vào đế Silic loại P một tạp chất thuộc nhóm V

C. Khuếch tán vào đế Silic loại N một tạp chất thuộc nhóm III 

D. Khuếch tán vào đế Silic loại N một tạp chất thuộc nhóm V