Câu hỏi: Bộ đồng xử lý toán học có chức năng trợ giúp CPU xử lý

A. Các phép toán số học và logic với tốc độ nhanh và độ chính xác cao

B. Các phép toán số học với số dấu chấm động với tốc độ nhanh

C. Các phép toán lượng giác với độ chính xác cao

D. Các phép toán số học với số dấu chấm động, các phép tinh logarit và lượng giác

Câu 1: Khi chạy đoạn chương trình: for i:= 1 to length(st) do writeln(st[i]). Với st là xâu ký tự thì nội dung thanh ghi

A. DI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

B. DI và SI giảm đi 1 sau mỗi lần lặp

C. SI tăng lên 1 sau mỗi lần lặp

D. DI và SI tăng lên 1sau mỗi lần lặp

Câu 2: Trong máy tính số, bộ nhớ DRAM được coi là

A. Bộ nhớ bán dẫn tĩnh

B. Bộ nhớ bán dẫn động

C. Bộ nhớ Cache

D. Bộ nhớ bán dẫn

Câu 3: Trong cơ chế quản lý bộ nhớ theo phân đoạn chế độ thực sử dụng 20 bits địa chỉ, địa chỉ đoạn được hiểu là:

A. Địa chỉ của đoạn nhớ

B. Địa chỉ vật lý của ô nhớ nền đoạn

C. 16 bits cao nhất của địa chỉ vật lý ô nhớ nền đoạn

D. Địa chỉ logic của ô nhớ nền đoạn

Câu 4: Lệnh chuyển dữ liệu MOV [2345h], AX thực hiện công việc

A. chuyển giá trị 2345 vào thanh ghi AX

B. chuyển giá trị trong ô nhớ DS:[2345h] vào AX

C. chuyển giá trị trong AX vào ô nhớ DS:[2345h]

D. chuyển giá trị trong ô nhớ SS:[2345h] vào AX

Câu 5: Với lệnh được thực hiện theo 5 giai đoạn thì theo kỹ thuật đường ống

A. tốc độ xử lý lệnh sẽ tăng lên 5 lần

B. trong một chu kỳ máy CPU thực hiện được 5 giai đoạn lệnh khác nhau của 5 lệnh

C. trong một chu kỳ máy CPU thực hiện được 5 giai đoạn  của 5 lệnh khác nhau

D. trong một chu kỳ máy CPU có thể thực hiện được tối đa 5 giai đoạn lệnh khác nhau của 5 lệnh

Câu 6: Trong chế độ thực 2 ô nhớ có địa chỉ logic 3000h:A599h và 3001h:A589h là 2 ô nhớ

A. Có địa chỉ vật lý liền kề

B. Có cùng địa chỉ vật lý

C. Thuộc 2 đoạn nhớ và có địa chỉ vật lý khác nhau

D. Có địa chỉ vật lý sai khác nhau 10h