Câu hỏi: Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

A. 0,3 V

B. 1 V

C. 0V

D. 0,7V

Câu 1: Cấu tạo của Transistor lưỡng cực gồm:

A. 2 lớp bán dẫn

B. 3 lớp bán dẫn

C. 4 lớp bán dẫn

D. 5 lớp bán dẫn

Câu 2: Trong Trasistor lưỡng cực loại P-N-P, hạt dẫn đa số trong cực gốc (cực B) là:

A. Cả điện tử tự do và lỗ trống

B. Các lỗ trống

C. Các điện tử tự do

D. Tất cả đều sai

Câu 3: LED là:

A. Diod thu quang

B. Diod phát quang

C. Transistor thu quang

D. Transistor phát quang

Câu 4: Transistor lưỡng cực loại NPN hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện cực góp?

A. Hạt dẫn điện tử

B. Không phải các hạt dẫn trên

C. Hạt dẫn lỗ trống

D. Cả 2 hạt dẫn trên

Câu 5: Transistor trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

A. Phát chung (CE)

B. Góp chung (CC)

C. Gốc chung (CB)

D. Darlington

Câu 6: Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua diod Silic trong mạch sau?

A. 0

B. 10mA

C. 9,3A

D. 9,3mA