Câu hỏi: Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:
253 Lượt xem
30/08/2021
3.8 9 Đánh giá
A. 0,3 V
B. 1 V
C. 0V
D. 0,7V
Đăng Nhập
để xem đáp án
Câu hỏi khác cùng đề thi
Câu 1: Một transistor có hệ số dòng điện là 125và dòng điện cực gốc là 30µA, dòng điện cực gốc là 0,02mA. Hãy cho biết dòng điện cực góp là bao nhiêu?
A. 37,5mA
B. 3,75A
C. 375µA
D. 3,75mA
Xem đáp án
30/08/2021 3 Lượt xem
Xem đáp án
30/08/2021 3 Lượt xem
Câu 3: Cho biết transistor hình dưới được phân cực theo cách nào? 
A. Định thiên bằng cầu phân áp
B. Định thiên bằng dòng IB cố định
C. Định thiên bằng hồi tiếp âm điện áp
D. Tất cả các cách trên
Xem đáp án
30/08/2021 2 Lượt xem
Xem đáp án
30/08/2021 2 Lượt xem
Câu 5: Transistor lưỡng cực loại NPN hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện cực góp?
A. Hạt dẫn điện tử
B. Không phải các hạt dẫn trên
C. Hạt dẫn lỗ trống
D. Cả 2 hạt dẫn trên
Xem đáp án
30/08/2021 2 Lượt xem
Câu 6: Trong Trasistor lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong cực gốc (cực B) là:
A. Cả điện tử tự do và lỗ trống
B. Các lỗ trống
C. Các điện tử tự do
D. Tất cả đều sai
Xem đáp án
30/08/2021 2 Lượt xem

Câu hỏi trong đề: Bộ câu hỏi trắc nghiệm môn Linh kiện điện tử - Phần 12
Thông tin thêm
- 38 Lượt thi
- 45 Phút
- 25 Câu hỏi
- Sinh viên
Cùng chủ đề Bộ câu hỏi trắc nghiệm môn Linh kiện điện tử có đáp án
- 501
- 16
- 25
-
61 người đang thi
- 399
- 5
- 25
-
16 người đang thi
- 373
- 2
- 25
-
76 người đang thi
- 566
- 3
- 25
-
85 người đang thi
Chia sẻ:
Đăng Nhập để viết bình luận