Câu hỏi: Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

A. 0,3 V

B. 1 V

C. 0V

D. 0,7V

Câu 1: Transistor trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

A. Phát chung (CE)

B. Góp chung (CC)

C. Gốc chung (CB)

D. Darlington

Câu 2: Transistor trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

A. Phát chung (CE)

B. Góp chung (CC)

C. Gốc chung (CB)

D. Darlington

Câu 3: Một transistor có dòng điện cực góp là 5mA, dòng điện cực gốc là 0,02mA. Hãy cho biết hệ số khuếch đại dòng điện là bao nhiêu?

A. 250

B. 100

C. 50

D. 25

Câu 4: Cho biết transistor hình dưới được phân cực theo cách nào?

A. Định thiên bằng cầu phân áp

B. Định thiên bằng dòng IB cố định

C. Định thiên bằng hồi tiếp âm điện áp

D. Tất cả các cách trên

Câu 5: Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy tính giá trị điện trở để có dòng điện chạy qua diod xấp xỉ 10mA?

A. 430kΩ

B. 1kΩ

C. 430Ω

D. 500Ω

Câu 6: Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua diod trong mạch điện sau?

A. 14mA

B. 0

C. 20

D. 14A