Câu hỏi: Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

A. 0,3 V

B. 1 V

C. 0V

D. 0,7V

Câu 1: Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua diod Silic trong mạch sau?

A. 0

B. 10mA

C. 9,3A

D. 9,3mA

Câu 2: Transistor trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

A. Phát chung (CE)

B. Góp chung (CC)

C. Gốc chung (CB)

D. Darlington

Câu 3: Điều kiện cần và đủ để một transistor lưỡng cực loại P-N-P dẫn điện là:

A. UC> UB> UE

B. UC< UB< UE

C. UC< UE< UB

D. UC> UE> UB

Câu 4: Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện \(\alpha\) và \(\beta\) được mô tả qua công thức

A. \(\beta = \frac{{1 + \alpha }}{\alpha }\)

B. \(\beta = \frac{{1 - \alpha }}{\alpha }\)

C. \(\beta = \frac{\alpha }{{1 - \alpha }}\)

D. \(\beta = \frac{\alpha }{{1 + \alpha }}\)

Câu 5: Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua diod trong mạch điện sau?

A. 14mA

B. 0

C. 20

D. 14A

Câu 6: Trong Trasistor lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong cực gốc (cực B) là:

A. Cả điện tử tự do và lỗ trống

B. Các lỗ trống

C. Các điện tử tự do

D. Tất cả đều sai