Câu hỏi: Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

A. 0,3 V

B. 1 V

C. 0V

D. 0,7V

Câu 1: Transistor được coi như một chuyển mạch khi hoạt động ở chế độ.

A. Ngưng dẫn và khuếch đại

B. Không phân cực

C. Bảo hòa và khuếch đại

D. Ngưng dẫn và bão hòa

Câu 2: Diod có khả năng biến đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện một chiều được gọi là:

A. Diod ổn áp

B. Diod biến dung

C. Diod chỉnh lưu

D. Diod chuyển mạch

Câu 3: Cấu tạo của Transistor lưỡng cực gồm:

A. 2 lớp bán dẫn

B. 3 lớp bán dẫn

C. 4 lớp bán dẫn

D. 5 lớp bán dẫn

Câu 4: Transistor trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

A. Phát chung (CE)

B. Góp chung (CC)

C. Gốc chung (CB)

D. Darlington

Câu 5: Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện \(\alpha\) và \(\beta\) được mô tả qua công thức

A. \(\beta = \frac{{1 + \alpha }}{\alpha }\)

B. \(\beta = \frac{{1 - \alpha }}{\alpha }\)

C. \(\beta = \frac{\alpha }{{1 - \alpha }}\)

D. \(\beta = \frac{\alpha }{{1 + \alpha }}\)

Câu 6: Điều kiện để transistor lưỡng cực dẫn khuếch đại khi và chỉ khi:

A. Tiếp giáp phát–gốc phân cực thuận

B. Tiếp giáp phát–gốc phân cực nghịch

C. Tiếp giáp góp–phát phân cựcthuận

D. Tất cả đều sai