Câu hỏi: Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

A. 0,3 V

B. 1 V

C. 0V

D. 0,7V

Câu 1: Transistor trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

A. Phát chung (CE)

B. Góp chung (CC)

C. Gốc chung (CB)

D. Darlington

Câu 2: Điều kiện để transistor lưỡng cực dẫn khuếch đại khi và chỉ khi:

A. Tiếp giáp phát–gốc phân cực thuận

B. Tiếp giáp phát–gốc phân cực nghịch

C. Tiếp giáp góp–phát phân cựcthuận

D. Tất cả đều sai

Câu 3: Transistor được coi như một chuyển mạch khi hoạt động ở chế độ.

A. Ngưng dẫn và khuếch đại

B. Không phân cực

C. Bảo hòa và khuếch đại

D. Ngưng dẫn và bão hòa

Câu 4: Trong Trasistor lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong cực gốc (cực B) là:

A. Cả điện tử tự do và lỗ trống

B. Các lỗ trống

C. Các điện tử tự do

D. Tất cả đều sai

Câu 5: Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện \(\alpha\) và \(\beta\) được mô tả qua công thức

A. \(\beta = \frac{{1 + \alpha }}{\alpha }\)

B. \(\beta = \frac{{1 - \alpha }}{\alpha }\)

C. \(\beta = \frac{\alpha }{{1 - \alpha }}\)

D. \(\beta = \frac{\alpha }{{1 + \alpha }}\)

Câu 6: Một transistor có dòng điện cực phát là 10mA, dòng điện cực góp là 9,95mA. Hãy cho biết dòng điện cực gốc là bao nhiêu?

A. 1mA

B. 0,5mA

C. 19,95mA

D. 0,05mA