Câu hỏi: Trong Trasistor lưỡng cực loại P-N-P, hạt dẫn đa số trong cực gốc (cực B) là:

A. Cả điện tử tự do và lỗ trống

B. Các lỗ trống

C. Các điện tử tự do

D. Tất cả đều sai

Câu 1: Trong vùng khuếch đại của một trasistor lưỡng cực chế tạo từ Silic, điện áp cực gốc–phát (UBE) là:

A. 0,3 V

B. 1 V

C. 0V

D. 0,7V

Câu 2: LED là:

A. Diod thu quang

B. Diod phát quang

C. Transistor thu quang

D. Transistor phát quang

Câu 3: Điều kiện để transistor lưỡng cực dẫn khuếch đại khi và chỉ khi:

A. Tiếp giáp phát–gốc phân cực thuận

B. Tiếp giáp phát–gốc phân cực nghịch

C. Tiếp giáp góp–phát phân cựcthuận

D. Tất cả đều sai

Câu 4: Trong Trasistor lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong cực gốc (cực B) là:

A. Cả điện tử tự do và lỗ trống

B. Các lỗ trống

C. Các điện tử tự do

D. Tất cả đều sai

Câu 5: Diod có khả năng biến đổi dòng điện xoay chiều thành dòng điện một chiều được gọi là:

A. Diod ổn áp

B. Diod biến dung

C. Diod chỉnh lưu

D. Diod chuyển mạch

Câu 6: Cấu tạo của Transistor lưỡng cực gồm:

A. 2 lớp bán dẫn

B. 3 lớp bán dẫn

C. 4 lớp bán dẫn

D. 5 lớp bán dẫn