Câu hỏi: Trong Trasistor lưỡng cực loại P-N-P, hạt dẫn đa số trong cực gốc (cực B) là:

A. Cả điện tử tự do và lỗ trống

B. Các lỗ trống

C. Các điện tử tự do

D. Tất cả đều sai

Câu 1: Điều kiện cần và đủ để một transistor lưỡng cựcloại N-P-N dẫn điện là:

A. UC> UB> UE

B. UC< UB< UE

C. UC> UE> UB

D. UC< UE< UB

Câu 2: Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện \(\alpha\) và \(\beta\) được mô tả qua công thức

A. \(\beta = \frac{{1 + \alpha }}{\alpha }\)

B. \(\beta = \frac{{1 - \alpha }}{\alpha }\)

C. \(\beta = \frac{\alpha }{{1 - \alpha }}\)

D. \(\beta = \frac{\alpha }{{1 + \alpha }}\)

Câu 3: Điều kiện để transistor lưỡng cực dẫn khuếch đại khi và chỉ khi:

A. Tiếp giáp phát–gốc phân cực thuận

B. Tiếp giáp phát–gốc phân cực nghịch

C. Tiếp giáp góp–phát phân cựcthuận

D. Tất cả đều sai

Câu 4: Transistor lưỡng cực loại NPN hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện cực góp?

A. Hạt dẫn điện tử

B. Không phải các hạt dẫn trên

C. Hạt dẫn lỗ trống

D. Cả 2 hạt dẫn trên

Câu 5: Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua diod Silic trong mạch sau?

A. 0

B. 10mA

C. 9,3A

D. 9,3mA

Câu 6: Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua diod trong mạch điện sau?

A. 14mA

B. 0

C. 20

D. 14A