Câu hỏi: Trong máy tính, bộ nhớ DRAM được coi là

A. Bộ nhớ bán dẫn động

B. Bộ nhớ bán dẫn tĩnh

C. Bộ nhớ ngoài

D. Bộ nhớ trong

Câu 1: Một Module nhớ SDRAM có dung lượng tối đa

A. 123 MB

B. 256 MB

C. 64 MB

D. 512 MB

Câu 2: Trong khi thực hiện một lệnh, thanh ghi lệnh (IR) lưu trữ lệnh:

A. Trước

B. Hiện thời

C. Sau đó

D. Luôn luôn ( a,b,c)

Câu 3: Hầu hết các phép toán số học và logic trong vi xử lý thực hiện thao tác giữa các nội dung của vùng nhớ hoặc nội dung của thanh ghi với :

A. Thanh ghi tích lũy A fc

B. PC

C. Thanh ghi địa chỉ bộ nhớ

D. Thanh ghi lệnh

Câu 4: Địa chỉ OFFSET của một ô nhớ được quan niệm là

A. Địa chỉ của một đoạn chứa ô nhớ

B. Địa chỉ vật lý của ô nhớ  

C. Địa chỉ lệnh trong đoạn chứa ô nhớ

D. Địa chỉ logic của một ô nhớ

Câu 5: Biểu diễn số sau -12.652 sang chuẩn IEEE 754/1985

A. D14A0000H

B. C14A0000H

C. B14C0000H

D. A14E0000H

Câu 6: Trong các yếu tố sau, yếu tố nào thường không thay đổi trong quá trình truy cập dữ liệu trên đĩa và phụ thuộc nhiều vào công nghệ chế tạo đĩa cứng:

A. Thời gian dịch chuyển đầu đọc trung bình

B. Thời gian trễ do quay đĩa

C. Thời gian đọc/ghi dữ liệu

D. Cả (a) và (b) đều đúng