Câu hỏi: Bộ nhớ ROM có thể ghi và xoá bằng điện được gọi là
A. ROM
B. PROM
C. EPROM
D. EEPROM
Câu 1: Địa chỉ OFFSET của một ô nhớ được quan niệm là
A. Địa chỉ của một đoạn chứa ô nhớ
B. Địa chỉ vật lý của ô nhớ
C. Địa chỉ lệnh trong đoạn chứa ô nhớ
D. Địa chỉ logic của một ô nhớ
30/08/2021 4 Lượt xem
30/08/2021 4 Lượt xem
Câu 3: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng 16K x 8 bit, phát biểu nào sau đây là đúng:
A. Các đường địa chỉ là: A0 -> A13
B. Các đường địa chỉ là: D0 -> D13
C. Các đường dữ liệu là: A0 -> A14
D. Các đường dữ liệu là: D1 -> D8
30/08/2021 5 Lượt xem
Câu 4: Nhiệm vụ chính của ALU là:
A. Thực hiện phép cộng
B. Như là đầu vào của thanh ghi tích lũy
C. Thay đổi logic hoặc số học các từ dữ liệu
D. Tất cả các công việc được kể ở đây.
30/08/2021 4 Lượt xem
Câu 5: Tại sao phải phân cấp bộ nhớ?
A. Để tiện cho việc quản lý
B. Để giảm chi phí khi thiết kế
C. Để giảm thời gian tìm đọc dữ liệu của CPU
D. Cả a,b,c đều đúng
30/08/2021 4 Lượt xem
Câu 6: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:
A. Có thể dùng điện để xoá PROM
B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần
C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần
D. Có thể dùng điện để xoá EPROM
30/08/2021 4 Lượt xem
Câu hỏi trong đề: Bộ câu hỏi trắc nghiệm kiến trúc máy tính có đáp án - Phần 2
- 9 Lượt thi
- 50 Phút
- 50 Câu hỏi
- Người đi làm
Cùng chủ đề Bộ câu hỏi trắc nghiệm kiến trúc máy tính có đáp án
- 1.7K
- 55
- 50
-
63 người đang thi
- 1.2K
- 9
- 50
-
30 người đang thi
- 1.3K
- 6
- 50
-
73 người đang thi
- 1.7K
- 6
- 50
-
70 người đang thi
Chia sẻ:
Đăng Nhập để viết bình luận