Câu hỏi: Tổng số hạt điện tử chứa trong lớp thứ 3 không vượt quá:

A. 2

B. 8

C. 18

D. 28

Câu 1: Một Op-amp lý tưởng có hệ số khuếch đại vòng hở:

A. Rất nhỏ.

B. Phụ thuộc vào hệ số hồi tiếp.

C. Phụ thuộc vào các linh kiện bên ngoài mạch.

D. Rất lớn 

Câu 2: Xét mạch khuếch đại đảo như hình 3.1, hãy cho biết kết luận nào sau đây là SAI:

A. Hệ số khuếch đại phụ thuộc các linh kiện bên ngoài.

B. Rf là điện trở hồi tiếp.     

C. Tín hiệu vào và tín hiệu ra đảo pha 180 độ.

D. Tín hiệu vào và tín hiệu ra cùng pha. 

Câu 3: Xét mạch khuếch đại đảo như hình 3.2, biết tổng trở ngõ vào là 3000 , Avf = -14, nguồn cấp điện 12V. Hỏi giá trị băng thông:

A. 0.067MHz

B. 0.076MHz

C. 0.67MHz

D. 0.76MHz

Câu 4: Cho mạch khuếch đại đảo như hình 3.1, công thức tính hệ số khuếch đại là:

A. AvF = Rf/Ri

B. AvF = 1+ Rf/Ri  

C. AvF = - Rf/Ri  

D. AvF = -1

Câu 5: Xét mạch khuếch đại đảo như hình 3.3, hãy cho biết kết luận nào sau đây là SAI:

A. Đây là mạch khuếch đại đảo dùng Op-amp TL081C.

B. Đây là mạch khuếch đại đảo dùng Op-amp lưỡng cực.

C. Rk = RiRf/(Ri+Rf)   

D. Avf= -Rf/Ri

Câu 6: Tĩnh điện là:

A. Dòng quy ước

B. Nạp tĩnh (không di chuyển)

C. Dòng các electron

D. Dòng các proton