Câu hỏi: Quá trình hấp phụ sẽ:

A. Làm giảm ΔG của pha khí

B. Làm giảm ΔG của hệ 

C. Là quá trình tỏa nhiệt 

D. Câu A, C đều đúng

Câu 1: Hiện nay để xác định diên tích bề mặt riêng cho chất rắn người ta dùng phương pháp hấp phụ và giải hấp phụ Nitơ lỏng. Vậy thuyết hấp phụ nào cho kết quả đáng tin cậy nhất: 

A. Langmuir

B. B.E.T 

C. Brunauer

D. Freundlich 

Câu 2: Cho 3 hệ phân tán: Huyền phù, keo và dung dịch thực. Độ phân tán của chúng là:

A. Hệ keo < dung dịch thực < huyền phù

B. Dung dịch thực < hệ keo < huyền phù

C. Huyền phù < hệ keo < dung dịch thực

D. Hệ keo < huyền phù < dung dịch thực

Câu 3: Cho pin điện hóa: Pt, H2/ H+ // Fe3+, Fe2+/ Pt, phản ứng xảy ra trong pin là:

A. \({H_2} + 2F{e^{3 + }} = 3F{e^{2 + }} + 2{H^ + }\)

B. \({H_2} + 2F{e^{2 + }} = 2F{e^{3 + }} + 2{H^ + }\)

C. \({H_2} + F{e^{3 + }} = F{e^{2 + }} + 2{H^ + }\)

D. \({H_2} + F{e^{2 + }} = F{e^{3 + }} + 2{H^ + }\)

Câu 4: Phương trình hấp phụ Langmuir chỉ áp dụng cho: 

A. Hấp phụ đơn lớp 

B. Hấp phụ đa lớp

C. Hấp thụ đa lớp 

D. Hấp thụ đơn lớp

Câu 5: Sức căng bề mặt:

A. Là năng lượng tự do bề mặt tính cho một đơn vị diện tích bề mặt phân chia pha 

B. Là năng lượng bề mặt tính cho một đơn vị diện tích bề mặt 

C. Là năng lượng tự do bề mặt tính cho một đơn vị diện tích bề mặt riêng 

D. Là năng lượng bề mặt tính cho một đơn vị diện tích bề mặt riêng

Câu 6: Cho phản ứng xảy ra trong pin như sau: H2 + Cl2 = 2HCl. Pin được hình thành từ các điện cực là:

A. Pt, H2/ HCl/Cl2, Pt

B. Pt, Cl2/ HCl/Cl2,Pt

C. Pt, H2/ HCl/ H2, Pt 

D. Pt, Cl2/ HCl/ H2,Pt