Câu hỏi: Phương pháp vào/ra theo ngắt cứng có ưu điểm là

A. độ tin cậy rất cao và việc sử dụng phương pháp này làm tăng hiệu quả làm việc của CPU(1)

B. độ tin cậy rất cao, nhanh chóng, kịp thời(2)

C. tốc độ vào/ra dữ liệu cao, an toàn, chính xác(3)

D. Kết hợp (1),(2),(3)

Câu 1: Khi áp dụng kỹ thuật ghi xuyên trong thao tác ghi bộ nhớ thì

A. Thời gian ghi bộ nhớ giảm

B. Thời gian ghi bộ nhớ tăng

C. Cần phải sử dụng bit cờ trong khối cache

D. Nội dung bộ nhớ chính có thể thay đổi

Câu 2: Hai phương pháp nào sau đây thuộc cùng một nhóm các phương pháp vào/ra dữ liệu:

A. Vào/ra theo định trình và vào/ra theo ngắt cứng

B. Vào/ra có thăm dò và vào/ra theo kiểu DMA

C. Vào/ra theo ngắt cứng và vào/ra theo kiểu DMA

D. Vào/ra theo kiểu DMA và vào/ra theo định trình

Câu 3: Trong việc vào/ra dữ liệu khi CPU muốn đưa dữ liệu ra thiết bị vào/ra thực chất là:

A. CPU đưa dữ liệu ra thanh ghi dữ liệu

B. CPU đưa dữ liệu ra thanh ghi dữ liệu và thanh ghi điều khiển

C. CPU đưa dữ liệu ra thanh ghi dữ liệu, thanh ghi trạng thái

D. CPU đưa dữ liệu ra thanh ghi dữ liệu, trạng thái, điều khiển

Câu 4: Trong mô hình tổ chức bộ nhớ theo phân cấp sự xuất hiện của bộ nhớ cache với mục đích chính là:

A. Giảm thời gian trung bình truy nhập bộ nhớ

B. Tăng khả năng lưu trữ của hệ thống nhớ

C. Giảm thời gian trung bình truy nhập bộ nhớ và tăng khả năng lưu trữ của hệ thống nhớ

D. Giảm tải cho bộ nhớ DRAM

Câu 5: DMAC8237 có thể hoạt động theo 1 trong

A. 2 kiểu truyền dữ liệu

B. 3 kiểu truyền dữ liệu

C. 4 kiểu truyền dữ liệu

D. 5 kiểu truyền dữ liệu

Câu 6: Cơ sở để tổ chức bộ nhớ phân cấp là

A. Tại một thời điểm CPU chỉ truy xuất dữ liệu nằm trong một vùng nhớ có kích thước nhỏ

B. Trong thời khoảng xác định CPU chỉ truy xuất dữ liệu nằm trong một vùng nhớ có kích thước nhỏ

C. CPU chỉ cần truy xuất dữ liệu nằm trong vùng nhớ có kích thước nhỏ khi thực hiện lệnh trong chương trình

D. Kỹ thuật điện tử bán dẫn và công nghệ chế tạo bộ nhớ phát triển