Câu hỏi: Khi transistor NPN dẫn, đa số electron sẽ đổ:

A. Từ C đến E

B. Từ E đến C

C. Câu a và b đều đúng

D. Cả ba câu đều sai

Câu 1: Khi transistor PNP dẫn, đa số electron sẽ đổ:

A. Từ C đến E

B. Từ E đến C

C. Câu a và b đều đúng

D. Cả ba câu đều sai

Câu 2: Tọa độ điểm phân cực Q của BJT là:

A. IB, IC, VBE

B. VGS, ID, VDS

C. IC, ID, VCE

D. IB, IC, VCE

Câu 3: BJT có cấu tạo gồm:

A. Một mối nối P-N

B. Hai mối nối P-N

C. Ba mối nối P-N 

D. Bốn mối nối P-N

Câu 4: Hiệu điện thế giữa cực thu và cực phát của BJT gọi là:

A. VBE

B. VCE

C. VBC

D. Cả ba câu đều sai

Câu 5: Khi transistor làm việc ở vùng khuếch đại tuyến tính ta có:

A. \({I_C} = \beta {I_E}\)

B. \({I_B} = \beta {I_C}\)

C. \({I_C} = \beta {I_B}\)

D. \({I_C} = \frac{{{I_B}}}{\beta }\)

Câu 6: Mạch tương đương dùng tham số hydrid của BJT có:

A. hie là tổng trở vào

B. hfe là hệ số khuếch đại dòng

C. hre là tổng trở ra

D. Chỉ có câu c sai