Câu hỏi: Đối với hệ thống nhớ, có các kiểu vật lý như sau:

A. Bộ nhớ từ, RAM, bộ nhớ cache

B. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ cache 

C. Bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ, bộ nhớ quang

D. Bộ nhớ quang, bộ nhớ cache, bộ nhớ từ

Câu 1: Tất cả có các mode địa chỉ sau đây:

A. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, ngăn xếp, gián tiếp qua ngăn xếp, ngăn nhớ, con trỏ

B. Gián tiếp, gián tiếp qua thanh ghi, trực tiếp, dịch chuyển, ngăn xếp, con trỏ, thanh ghi

C. Tức thì, gián tiếp, thanh ghi, dịch chuyển, ngăn xếp, trực tiếp, gián tiếp qua thanh ghi

D. Tức thì, gián tiếp qua con trỏ, thanh ghi, ngăn xếp, dịch chuyển, con trỏ, ngăn nhớ

Câu 2: Đối với mode địa chỉ dịch chuyển, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Là sự kết hợp: mode gián tiếp qua thanh ghi và mode trực tiếp

B. Có sự tham gia của mode địa chỉ tức thì

C. Địa chỉ toán hạng không phải là: nội dung thanh ghi + hằng số

D. Có sự tham gia của mode địa chỉ thanh ghi

Câu 3: Cho lệnh assembly: SUB CX, 70. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

B. Toán hạng nguồn không thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ thanh ghi

D. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ gián tiếp

Câu 4: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Được chế tạo từ mạch lật

B. Được chế tạo từ transistor

C. Được chế tạo từ diode

D. Cả b và c

Câu 5: Cho lệnh assembly: ADD DX, [40]. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Toán hạng nguồn thuộc mode địa chỉ tức thì

B. Toán hạng nguồn không thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích không thuộc mode địa chỉ thanh ghi

D.  Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ thanh ghi

Câu 6: Đối với mode địa chỉ ngăn xếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng được ngầm hiểu

B. Toán hạng là ngăn nhớ đỉnh ngăn xếp

C. Cả và b đều sai

D. Cả a và b đều đúng