Câu hỏi: Độ dẫn điện đương lượng là độ dẫn của các ion trong một thể tích chứa:

A. Một đương lượng gam chất tan

B. Một mol chất tan

C. Mười đương lượng gam chất tan

D. Một phần mười đương lượng gam chất tan

Câu 1: Chọn phát biểu đúng về điện cực thế:

A. Điện thế cực là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha lỏng

B. Điện thế cực là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 pha rắn

C. Điện thế cực là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách của 2 dung dịch có nồng độ khác nhau

D. Điện thế cực là điện thế xuất hiện trên bề mặt phân cách điện cực rắn với pha rắn.

Câu 2: Chọn phát biểu đúng nhất về chất xúc tác:

A. Chất xúc tác là chất làm thay đổi vận tốc phản ứng và biến đổi về chất khi phản ứng xảy ra

B. Chất xúc tác là chất làm thay đổi vận tốc phản ứng và không biến đổi về chất khi phản ứng xảy ra

C. Chất xúc tác là chất làm thay đổi vận tốc phản ứng và biến đổi về chất và lượng khi phản ứng xảy ra

D. Chất xúc tác là chất làm thay đổi vận tốc phản ứng và biến đổi về lượng khi phản ứng xảy ra 

Câu 3: Vai trò của chất hoạt động bề mặt là: 

A. Tạo nhũ hóa

B. Tạo mixen

C. Làm chất tẩy rửa

D. Tất cả đúng.

Câu 4: Cho sơ đồ pin như sau: \(( - )Pt|{H_2} + {H^ + }||A{g^ + }|( + )\)

A. Cực âm: \({H_2} \to 2{H^ + } + 2e\)

B. Cực dương: \(2A{g^ + } + 2{e^ - } \to 2A{g^ + }\)

C. Phảm ứng tổng quát: \({H_2} + 2A{g^ + } \to 2{H^ + } + 2Ag\)

D. Tất cả đúng

Câu 5: Cho phản ứng \({\rm{2N}}{{\rm{O}}_{(k)}} + {O_{2(k)}} \to 2NO{2_{(k)}}\)  . Biểu thức thực nghiệm của tốc độ phản ứng là: \(v = k{[NO{}_2{\rm{]}}^2}[O{}_2{\rm{]}}\)  . Chọn câu phát biểu đúng?

A. Phản ứng bậc một đối với O2 và bậc một đối với NO

B. Phản ứng có bậc tổng quát là 3

C. Khi giảm nồng độ NO hai lần, tốc độ phản ứng giảm hai lần

D. Khi tăng nồng độ NO2 ba lần, tốc độ phản ứng tăng ba lần

Câu 6: Biết \(\mathop E\nolimits_{A{g^ + }/Ag}^0 > \mathop E\nolimits_{C{u^{2 + }}/Cu}^0 > \mathop E\nolimits_{Z{n^{2 + }}/Zn}^0 > \mathop E\nolimits_{A{l^{3 + }}/Al}^0 > \mathop E\nolimits_{M{g^ + }/Mg}^0 \)

A. 7

B. 8

C. 9

D. 10