Câu hỏi: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu: A0 -> A13, D0 -> D15 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Dung lượng của chip là: 16K x 16 bit

B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 1: Cho chip nhớ SRAM có dung lượng 64K x 4 bit, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Các đường địa chỉ là: A0  -> A15

B. Các đường địa chỉ là: D0 -> D15

C. Các đường dữ liệu là: A0 -> A3

D. Các đường dữ liệu là: D1 -> D8

Câu 2: Đối với mode địa chỉ trực tiếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ có địa chỉ được chỉ ra trong lệnh

B. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ

C. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ ngăn nhớ 

D. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ thanh ghi

Câu 3: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. Là nơi lưu giữ thông tin tạm thời

C. Có hai loại RAM

D. Là bộ nhớ đọc/ghi tuỳ ý

Câu 4: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Được chế tạo từ mạch lật

B. Được chế tạo từ transistor

C. Được chế tạo từ diode

D. Cả b và c

Câu 5: Đối với mode địa chỉ ngăn xếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng được ngầm hiểu

B. Toán hạng là ngăn nhớ đỉnh ngăn xếp

C. Cả và b đều sai

D. Cả a và b đều đúng

Câu 6: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Có tất cả 5 loại ROM

B. Là loại bộ nhớ khả biến

C. Là nơi chứa các chương trình hệ thống (BIOS)

D.  Là nơi chứa các vi chương trình