Câu hỏi: Cho chip nhớ SRAM có các tín hiệu: A0 -> A13, D0 -> D15 , RD, WE. Phát biểu nào sau đây là sai:

A. Dung lượng của chip là: 16K x 16 bit

B. WE là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

C. RD là tín hiệu điều khiển ghi dữ liệu

D.  RD là tín hiệu điều khiển đọc dữ liệu

Câu 1: Đối với bộ nhớ RAM, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Là loại bộ nhớ không khả biến

B. Là nơi lưu giữ thông tin tạm thời

C. Có hai loại RAM

D. Là bộ nhớ đọc/ghi tuỳ ý

Câu 2: Đối với mode địa chỉ dịch chuyển, phát biểu nào sau đây là đúng: 

A. Là sự kết hợp: mode gián tiếp qua thanh ghi và mode trực tiếp

B. Có sự tham gia của mode địa chỉ tức thì

C. Địa chỉ toán hạng không phải là: nội dung thanh ghi + hằng số

D. Có sự tham gia của mode địa chỉ thanh ghi

Câu 3: Đối với bộ nhớ ROM, phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Có thể dùng điện để xoá PROM

B. PROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

C. EPROM là loại ROM có thể xoá và ghi lại nhiều lần

D. Có thể dùng điện để xoá EPROM

Câu 4: Đối với mode địa chỉ trực tiếp, phát biểu nào sau đây là sai:

A. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ có địa chỉ được chỉ ra trong lệnh

B. Toán hạng là nội dung của ngăn nhớ

C. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ ngăn nhớ 

D. Để tìm được toán hạng, phải biết địa chỉ thanh ghi

Câu 5: Hình vẽ sau là sơ đồ hoạt động của mode địa chỉ:

A. Không tồn tại 

B. Gián tiếp

C. Thanh ghi

D. Trực tiếp

Câu 6: Cho lệnh assembly: POP DX. Phát biểu nào sau đây là đúng:

A. Không có toán hạng nguồn

B. Toán hạng đích thuộc mode địa chỉ trực tiếp

C. Toán hạng đích được ngầm hiểu

D. Toán hạng nguồn được ngầm hiểu