Câu hỏi:

Năng lượng để giải phóng một electron liên kết thành electron dẫn trong chất bán dẫn Ge là 0,66 eV. Giới hạn quang dẫn (hay giới hạn quang điện trong) của Ge thuộc vùng ánh sáng:

Một tấm pin quang điện gồm nhiều pin mắc nối tiếp. Diện tích tổng cộng của các pin nhận năng lượng ánh sáng là $0,6{\mathrm{m}}^2$. Ánh sáng chiếu vào bộ pin có cường độ $1360\mathrm{W}/{\mathrm{m}}^2$. Dùng bộ pin cung cấp năng lượng cho mạch ngoài, khi cường độ dòng điện là 4A thì điện áp hai cực của bộ pin là 24V. Hiệu suất của bộ pin là:

Giới hạn quang dẫn của chất CdS là 0,9 $\mathrm{\mu }$m. Năng lượng tối thiểu của photon ánh sáng có thể gây ra hiện tượng quang dẫn CdS là:

Một bộ pin quang điện gồm nhiều pin mắc nối tiếp. Diện tích tổng cộng của các pin là 0,4 ${\mathrm{m}}^2$. Dòng ánh sáng chiếu vào bộ pin có cường độ 1000 W/${\mathrm{m}}^2$. Khi cường độ dòng điện mà bộ pin cung cấp cho mạch ngoài là 2,5A thì điện áp đo được hai cực của bộ pin là 20 V. Hiệu suất của bộ pin là:

Một chất quang dẫn có giới hạn quang điện là $1,88\mathrm{\mu m}$. Lấy $\mathrm{c}=3{.10}^8\mathrm{m}/\mathrm{s}$. Hiện tượng quang điện trong xảy ra khi chiếu vào chất này ánh sáng có tần số nhỏ nhất là:

Nguồn sáng đơn sắc có công suất 1,5W phát ra bức xạ có bước sóng $\mathrm{\lambda }$ = 546nm. Số hạt photon mà nguồn sáng phát ra trong 1 phút gần giá trị nào nhất sau đây?

Nguồn sáng đơn sắc có công suất 1,5W phát ra bức xạ có bước sóng $\mathrm{\lambda }$ = 546nm. Số hạt photon mà nguồn sáng phát ra trong 1 phút gần giá trị nào nhất sau đây?